[发明专利]存储器装置以及制造该存储器装置的方法

说明书

存储器装置以及制造该存储器装置的方法。公开了一种存储器装置及其制造方法，该方法可包括：在基板上方形成介电层和牺牲层交替地层叠的交替层叠物，各个牺牲层是多孔材料和非多孔材料的组合；形成穿透交替层叠物的垂直沟道孔；通过氧化工艺将位于垂直沟道孔的侧壁上的牺牲层的暴露表面转换为阻挡层；在垂直沟道孔中形成接触阻挡层的垂直沟道结构；以及利用导电层替换牺牲层的未转换部分，其中，各个导电层包括接触各个阻挡层的圆状边缘。

技术领域

实施方式的示例总体上涉及制造半导体装置的方法，更具体地，涉及一种存储器装置以及制造该存储器装置的方法。

背景技术

半导体装置可包括能够存储数据的存储器装置。存储器装置可包括存储器单元。存储器单元可三维布置。

需要各种技术开发以改进存储器单元的操作特性。

发明内容

根据实施方式，一种制造存储器装置的方法可包括以下步骤：在基板上方形成介电层和牺牲层交替地层叠的交替层叠物，各个牺牲层是多孔材料和非多孔材料的组合；形成穿透交替层叠物的垂直开口；通过氧化工艺将位于垂直开口的侧壁上的牺牲层的暴露表面转换为阻挡层；在垂直开口中形成接触阻挡层的垂直沟道结构；以及利用导电层替换牺牲层的未转换部分，其中，各个导电层包括接触各个阻挡层的圆状边缘。

根据实施方式，一种制造存储器装置的方法可包括以下步骤：在基板上方形成介电层和牺牲层交替地层叠的交替层叠物，各个牺牲层是多孔材料和非多孔材料的组合；形成穿透交替层叠物的垂直开口；使位于垂直开口的侧壁上的牺牲层的垂直暴露表面凹陷为圆形暴露表面；形成覆盖牺牲层的圆形暴露表面的阻挡层；在垂直开口中形成接触阻挡层的垂直沟道结构；以及利用导电层替换牺牲层，其中，各个导电层包括接触各个阻挡层的圆状边缘。

根据实施方式，一种存储器装置可包括：位于基板上方的导电层和介电层的交替层叠物；垂直沟道结构，其穿透交替层叠物；覆盖阻挡层，其围绕垂直沟道结构的外壁；以及突出阻挡层，其从覆盖阻挡层延伸并接触导电层的边缘，其中，各个导电层包括接触突出阻挡层的圆状边缘。

附图说明

图1A是示出根据实施方式的垂直存储器装置的图。

图1B是示出沿着图1A所示的A-A’线截取的垂直存储器装置的横截面图。

图1C是示出图1B所示的标号100’的放大图。

图2A至图2H是用于描述图1A至图1C所示的垂直存储器装置的制造方法的示例的图。

图3A和图3B是用于描述图1A至图1C所示的垂直存储器装置的制造方法的另一示例的图。

图4是示出根据实施方式的垂直存储器装置的图。

图5A至图5G是用于描述图4所示的垂直存储器装置的制造方法的示例的图。

图6A和图6B是用于描述图4所示的垂直存储器装置的制造方法的另一示例的图。

具体实施方式

将参照作为本申请的理想示意图的横截面图、平面图和框图来描述本文所描述的各种示例和实施方式。因此，例示形状可根据制造技术和/或公差而修改。因此，实施方式不限于所示的具体形式，而且包括根据制造工艺产生的形状的改变。图中所示的区域具有示意性属性，并且图中所示的区域的形状旨在示出元件的区域的特定类型，而非旨在限制范围。

图1A是示出根据实施方式的垂直存储器装置100V的图。图1B是示出沿着图1A所示的A-A’线截取的垂直存储器装置100V的横截面图。