[发明专利]用于保护电路的单晶体管器件以及方法有效
申请号: | 201911355453.5 | 申请日: | 2016-09-21 |
公开(公告)号: | CN110994547B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 马克·D·克里齐 | 申请(专利权)人: | 西普托特技术有限责任公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H9/02 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保护 电路 晶体管 器件 以及 方法 | ||
1.一种用于保护具有主电流路径的电路免受过流状况影响的器件,包括:
第一端子和第二端子,该第一端子和第二端子被配置为将所述主电流路径路由通过所述器件;
第一晶体管,该第一晶体管包括第一栅极、第一漏极、和第一源极;
其中,所述第一晶体管是耗尽型、常开型晶体管;
其中,所述第一晶体管被串联布置在所述第一端子和所述第二端子之间的所述主电流路径中;
驱动器电路;
该驱动器电路包括第一电压转换器电路,该电压转换器电路被适配用于接收仅从所述第一端子与所述第二端子之间的电压导出的第一输入电压,并将所述第一输入电压转换为第一可释放存储的电压,
所述驱动器电路还包括:助推启动式电压转换器,该助推启动式电压转换器被适配用于:相比于所述第一电压转换器电路转换所述第一输入电压,更快地将第二输入电压转换为第二可释放存储的电压,其中,所述第二输入电压是与所述第一输入电压相同的电压或与所述第一输入电压不同的电压,
其中,所述驱动器电路被配置为相对于所述第一源极将栅极电压施加在所述第一栅极处,
其中,当存在从所述第一端子到所述第二端子的第一正电压和正常电流状况时,
所述第一晶体管被配置为在所述第一端子和所述第二端子之间传送电流;
并且其中,当存在从所述第一端子到所述第二端子的第二正电压和严重过流状况时,
所述驱动器电路被配置为:通过施加所述第一可释放存储的电压或其导出电压、所述第二可释放存储的电压或其导出电压、或者它们的组合作为所述栅极电压来驱动所述第一晶体管进入阻断耗尽模式中;
并且其中,所述器件被配置为在正常电流状况期间传送电流,并在严重过流状况期间基本阻断电流。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为用作单发式电压转换器。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为用作持续使用式电压转换器。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为用作单发式电压转换器以及持续使用式电压转换器。
5.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为向振荡器提供振荡器触发电压。
6.根据权利要求5所述的器件,其中,所述振荡器触发电压被配置为使所述振荡器驱动所述助推启动式电压转换器以持续提供足以将所述第一晶体管在所述严重过流状况期间维持在阻断耗尽模式中的转换电压。
7.根据权利要求1所述的器件,其中,当存在从所述第一端子到所述第二端子的第三正电压和轻微过流状况时,
所述驱动器电路被配置为通过施加所述第一可释放存储的电压或其导出电压、所述第二可释放存储的电压或其导出电压、或者它们的组合作为所述栅极电压来驱动所述第一晶体管进入电流限制模式中;
并且其中,所述器件被配置为在轻微过流状况期间限制电流。
8.根据权利要求7所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为向振荡器提供振荡器触发电压。
9.根据权利要求8所述的器件,其中,所述振荡器触发电压被配置为使所述振荡器驱动所述助推启动式电压转换器以持续提供足以将所述第一晶体管在所述轻微过流状况期间维持在电流限制模式中的转换电压。
10.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为:将所述第二可释放存储的电压或其导出电压作为相对于所述第一源极的栅极电压施加在所述第一栅极处,以驱动所述第一晶体管进入阻断耗尽模式。
11.根据权利要求1所述的器件,其中,所述助推启动式电压转换器被配置为将所述第二可释放存储的电压或其导出电压施加到所述第一电压转换器电路。
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