[发明专利]一种高遮挡件抗腐蚀多元涂层及其制备方法以及制备方法所用的装置

权利要求书

1.一种高遮挡部件抗腐蚀多元涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将高遮挡部件固定于夹具工装进行公转，公转至多弧沉积口时，多弧沉积装置在高遮挡部件基体表面沉积TiSiN膜层，公转至磁过滤沉积口时，磁过滤装置在TiSiN膜层表面沉积致密的TiSiN膜层，公转至第一高功率脉冲磁控沉积口时，第一高功率脉冲磁控沉积装置在TiSiN膜层表面沉积TiSiCN膜层；重复上述沉积步骤，得到TiSiN/TiSiCN复合交替层；

或，将高遮挡部件固定于夹具工装进行公转，公转第一高功率脉冲磁控沉积口时，第一高功率脉冲磁控沉积装置在高遮挡部件基体表面沉积TiSiCN膜层，公转至多弧沉积口时，多弧沉积装置在致密的TiSiCN膜层表面沉积TiSiN膜层，公转至磁过滤沉积口时，磁过滤装置在TiSiN膜层表面沉积致密的TiSiN膜层；重复上述沉积步骤，得到TiSiN/TiSiCN复合交替层；

所述高遮挡部件基体与TiSiN/TiSiCN复合交替层中的TiSiN膜层或TiSiCN膜层接触；

所述磁过滤沉积的工作条件包括：电流为1~50A，脉冲磁场方向与阴极平面的角度为45~90°，阴极起弧电流为1~100A，磁过滤电流强度为1.0~2.0A；

所述多弧沉积的工作条件包括：阴极起弧电流为1~120A，弧压为10~40V；

所述第一高功率脉冲磁控沉积 的工作条件包括：起弧功率为2~12kW，电压为0~400V，电流为0~300A，脉冲偏压的电压为20~50kV，脉冲宽度为0.1~1.2ms，脉冲频率为1~100Hz，占空比为0~1/10000，峰值功率为5~15kW，沉积时间为1~10h；

利用第二高功率脉冲磁控沉积 在所述TiSiN/TiSiCN复合交替层表面沉积Al₂O₃膜层，得到高遮挡部件抗腐蚀多元涂层；

所述Al₂O₃膜层与TiSiN/TiSiCN复合交替层中的TiSiN膜层或TiSiCN膜层接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二高功率脉冲磁控沉积 的工作条件包括：阴极靶材为铝靶材，脉冲偏压的电压为20~50kV，脉冲宽度为0.1~1.2ms，脉冲频率为1~100Hz，第一占空比1/10000，峰值功率为5~15kW；直流偏压的电压为1~600V，第二占空比为1~80%。

3.权利要求1~2任一项所述制备方法制备的高遮挡部件抗腐蚀多元涂层，其特征在于，包括依次层叠设置在高遮挡部件基体表面的TiSiN/TiSiCN复合交替层和Al₂O₃膜层；所述TiSiN/TiSiCN复合交替层包括交替叠层设置的TiSiN膜层和TiSiCN膜层。

4.根据权利要求3所述的多元涂层，其特征在于，所述Al₂O₃膜层的厚度为0.1~15μm。

5.根据权利要求3所述的多元涂层，其特征在于，所述TiSiN/TiSiCN复合交替层的总厚度为1~50μm。