[发明专利]一种高出光率集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：第一导电类型电极线，第二导电类型电极线，及位于所述第一导电类型电极线和第二导电类型电极线之间的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括n个二极管单元，n≥2，n个二极管单元呈行列阵列排布，相邻行排列的二极管单元之间具有第一沟槽，相邻列排列的二极管单元之间具有第二沟槽，第一导电类型电极线和第二导电类型电极线分别位于第一沟槽内，且第一导电类型电极线位于第一导电类型层之上，第二导电类型电极线位于第二导电类型层之上，每个所述单元的第一导电类型电极线与第二导电类型电极线之间在垂直于电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定；所述n个二极管单元包括位于第一导电类型层上并部分覆盖第二导电类型层的绝缘介质层，位于第二导电类型层上并覆盖绝缘介质层的透明电极和位于绝缘介质层上的第二导电类型电极线；所述第二导电类型电极线、透明电极和第二导电类型层在垂直于台面的方向连通；

电流扩散的长度具体为横向临界电流扩散长度；其中，所述横向临界电流扩散长度为与发光二极管单元的“工作电压(VF)-单元尺寸”曲线上的拐点所对应的电流扩散长度；

每个所述单元的第一导电类型电极线与第二导电类型电极线在垂直于电极线延伸方向上的距离小于所述横向临界电流扩散长度；

所述横向临界电流扩散长度小于70微米。

2.一种如权利要求1所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述n个二极管单元包括量子阱有源区；所述量子阱有源区位于第一导电类型层和第二导电类型层之间。

3.一种如权利要求2所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述绝缘介质层、透明电极和第二导电类型电极线设置于第一沟槽内。

4.一种如权利要求3所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述透明电极厚度为60纳米～120纳米。

5.一种如权利要求4所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘，第一导电类型电极线与第一导电类型焊盘连接，第二导电类型电极线与第二导电类型焊盘连接。

6.一种如权利要求5所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型电极线和第二导电类型电极线为线条型电极线；所述线条型电极线宽度为0.001微米～20微米，厚度为0.001微米～10微米。

7.一种如权利要求6所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述绝缘介质层材料为二氧化硅、氧化铝、氮化硅。

8.一种如权利要求7所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元的连接方式为：并联，串联或设定比例的串并联混合。

9.一种如权利要求8所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元形状为：三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形。

10.一种如权利要求9所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元数量为2个～1000亿个。

11.一种如权利要求10所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元沿垂直于电极线延伸方向的长度为0.001微米～200微米。

12.一种如权利要求11所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，非直线布局包括折线布局，曲线布局。

13.一种如权利要求12所述的高出光率集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线采用线条形金属和/或氧化铟锡材料；所述线条形金属材料为铝、银、钛、镍、金、铂、铬，或以上任意两种以上的金属的合金。