[发明专利]切换式相移器

权利要求书

1.一种切换式相移器，包含至少一相移单元，该相移单元包含二个半电路及连接这些半电路并接收控制信号的第一开关，各个该半电路包含：

第一可变电容，其第一端与该半电路的输入端连接，而其第二端与该半电路的控制端连接；

第二可变电容，其第一端与该半电路的输出端连接，而其第二端与该半电路的控制端连接；

第二开关，其第一端与该半电路的输出端连接，其第二端与该半电路的输入端连接，而其第三端与该半电路的控制端连接，并接收控制信号；以及

可变电感，其第一端与该半电路的输入端连接，而其第二端与该半电路的输出端连接。

2.如权利要求1所述的切换式相移器，其中一个该半电路的输入信号的振幅与另一个该半电路的输入信号的振幅大小相同但相位相反。

3.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第一开关的第一端与其中一个该半电路的控制端连接，该第一开关的第二端与另一个该半电路的控制端连接，该第一开关的第三端接收控制信号。

4.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第一开关为晶体管，该晶体管的漏极与其中一个该半电路的控制端连接，该晶体管的源极与另一个该半电路的控制端连接，该晶体管的栅极接收该控制信号。

5.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第一开关为晶体管，该晶体管的源极与其中一个该半电路的控制端连接，该晶体管的漏极与另一个该半电路的控制端连接，该晶体管的栅极接收该控制信号。

6.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第二开关为晶体管，该晶体管的源极与该半电路的输入端连接，该晶体管的漏极与该半电路的输出端连接，该晶体管的栅极与该半电路的控制端连接。

7.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第二开关为晶体管，该晶体管的漏极与该半电路的输入端连接，该晶体管的源极与该半电路的输出端连接，该晶体管的栅极与该半电路的控制端连接。

8.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第一可变电容包含第一电容及第一晶体管，该第一电容与该第一晶体管串联。

9.如权利要求8所述的切换式相移器，其中该第一电容的一端与该半电路的输入端连接，该第一电容的第二端与该第一晶体管的漏极连接，该第一晶体管的源极与该半电路的控制端连接，该第一晶体管的栅极接收电容控制信号。

10.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第一可变电容为晶体管电容或变容二极管。

11.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第二可变电容包含第二电容及第二晶体管，该第二电容与该第二晶体管串联。

12.如权利要求11所述的切换式相移器，其中该第二电容的一端与该半电路的输出端连接，该第二电容的第二端与该第二晶体管的漏极连接，该第二晶体管的源极与该半电路的控制端连接，该第二晶体管的栅极接收电容控制信号。

13.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该第二可变电容为晶体管电容或变容二极管。

14.如权利要求1所述的切换式相移器，其中该可变电感包含绕线电感、晶体管及栅状金属结构；该晶体管与该栅状金属结构连接，该绕线电感设置于该栅状金属结构之上，且该绕线电感与该栅状金属结构之间具有空间，该绕线电感的第一端与该半电路的输入端连接，该绕线电感的第二端与该半电路的输出端连接。

15.如权利要求14所述的切换式相移器，其中该栅状金属结构包含框架及栅状结构，该栅状结构设置于该框架内；该框架包含开口，该晶体管的源极与该框架邻近于该开口的一端连接，该晶体管的漏极与该框架邻近于该开口的另一端连接，该晶体管的栅极接收电感控制信号。