[发明专利]一种低压IGBT器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911356279.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035711A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 姚尧;罗海辉;肖强;罗湘;何逸涛;丁杰;刘武平;冯宇;卜毅;刘葳 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;康志梅 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 igbt 器件 制备 方法 | ||
1.一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：
S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；
S2.将步骤S1得到的晶圆的正面进行高能质子注入形成缓冲层；
S3.将步骤S2得到的晶圆的背面减薄；
S4.在步骤S3得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
对所述步骤S1得到的晶圆的正面进行高能质子注入及炉管退火处理，形成缓冲层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高能质子包括高能H质子。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述减薄工艺包括常规减薄工艺和/或Taiko减薄工艺。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤S4包括：
4A.在步骤S3得到的晶圆的背面进行低热预算阳极工艺，形成阳极层；
4B.在阳极层上沉积金属，形成集电极。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤4A中包括：
在步骤S3得到的晶圆的背面进行阳极注入以及激光退火处理，形成阳极层。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法制备得到的低压IGBT器件。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述低压IGBT器件为沟槽栅结构和/或平面栅结构。
9.根据权利要求7或8所述的器件，其特征在于，所述低压IGBT器件的电压等级小于3300V，厚度小于375μm。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的低压IGBT器件在汽车、风电、光伏、工业传动或家电领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911356279.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
