[发明专利]氮化钛薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201911356970.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110965023A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高晓丽;丁培军;王厚工;刘菲菲;宋海洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 沉积 方法 | ||
1.一种氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，包括：
向反应腔室通入工艺气体；
向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜；
其中，所述工艺气体包括氮气和惰性气体，所述直流功率与所述氮气的流量的比例为一个固定值。
2.根据权利要求1所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述固定值为6kw：40sccm。
3.根据权利要求2所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述氮气的流量的取值范围为40sccm～80sccm。
4.根据权利要求3所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述直流功率的取值范围为于6kw～12kw。
5.根据权利要求1-4任一项所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述含钛靶材与所述晶片之间的距离大于200毫米，且小于等于400毫米。
6.根据权利要求1-4任一项所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜，包括：
采用预定尺寸的磁控管，使所述等离子体轰击所述含钛靶材时产生钛离子，所述钛离子在氮化钛薄膜沉积过程中持续轰击所述氮化钛薄膜。
7.根据权利要求6任一项所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述含钛靶材的面积与所述磁控管的面积的比值范围为8～9。
8.根据权利要求3所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述氮气和所述惰性气体的流量比的取值范围为4～8。
9.根据权利要求8所述的氮化钛薄膜沉积方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
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