[发明专利]X射线平板探测器及制备方法

权利要求书

1.一种X射线平板探测器，其特征在于，所述X射线平板探测器包括TFT基底、CsI:Tl闪烁体层，以及：

光选择层，所述光选择层包括第一表面及相对的第二表面，所述CsI:Tl闪烁体层与所述第一表面相接触，所述TFT基底与所述第二表面相接触；所述光选择层包括PVC膜、PET膜及PE膜中的一种或组合；通过所述光选择层对由所述CsI:Tl闪烁体层所产生的短波长荧光包括蓝光、紫光及近紫外光中的至少一种进行包括吸收及反射中的一种或组合，以进行选择，减小所述TFT基底的余辉。

2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于：所述光选择层的厚度为微米量级，包括5μm～20μm。

3.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于：所述X射线平板探测器还包括位于所述CsI:Tl闪烁体层上方的封装层，所述封装层包括铝膜。

4.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于：所述TFT基底包括硅基TFT、玻璃基TFT及柔性基TFT中的一种。

5.一种X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供TFT基底；

形成光选择层，所述光选择层包括与所述TFT基底的上表面相接触的第二表面及与所述第二表面相对的第一表面；所述光选择层包括PVC膜、PET膜及PE膜中的一种或组合；

形成CsI:Tl闪烁体层，所述CsI:Tl闪烁体层与所述第一表面相接触；通过所述光选择层对由所述CsI:Tl闪烁体层所产生的短波长荧光包括蓝光、紫光及近紫外光中的至少一种进行包括吸收及反射中的一种或组合，以进行选择，减小所述TFT基底的余辉。

6.根据权利要求5所述的X射线平板探测器的制备方法，其特征在于：制备所述光选择层的方法包括贴膜法、旋涂法及模塑法中的一种或组合。