[发明专利]半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，其包括如下工序：

转印工序，其使具有包含接合用片材和基材的层叠结构的片材体中的所述接合用片材一侧粘贴在具有隔离的至少二个接合对象部的半导体元件或半导体元件组件中的所述至少二个接合对象部上，然后，将在所述接合用片材中压接在所述接合对象部上的部位作为接合用材料层残留于该接合对象部上且使其他部位伴随于所述基材的同时，进行所述基材的剥离，所述接合用片材含有烧结性颗粒；

临时固定工序，其将带有所述接合用材料层的接合对象部借助该接合用材料层临时固定在基板上；和，

接合工序，其由夹设于临时固定的所述接合对象部与所述基板之间的接合用材料层经过加热过程形成接合层，将该接合对象部接合在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，在相邻的接合对象部的隔离方向上，各接合对象部的长度相对于接合对象部的排列间距的比率为0.01～1。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其中，相邻的接合对象部中的隔离方向的长度为1～150μm。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其中，相邻的接合对象部的隔离距离为1～500μm。