[发明专利]一种长余辉荧光材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911357397.9 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111100634A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 戴武斌;黄珂;周佳;胡金;许硕;樊烨明;徐慢 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59;H01L33/50
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李欣荣
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 余辉 荧光 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种长余辉荧光材料,其特征在于,其化学式为Ba1-xMgSiO4:xEu2+,式中x取值0.01~0.03,其晶体结构属于六方晶系,由Eu2+掺杂取代Ba2+位点而成。

2.根据权利要求1所述的长余辉荧光材料,其特征在于,其化学式为Ba0.985MgSiO4:0.015Eu2+

3.权利要求1或2所述长余辉荧光材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)以BaCO3、MgO、SiO2和Eu2O3为原料,按目标化学式Ba1-xMgSiO4:xEu2+,x取值0.01~0.03的化学计量比称取各原料;将称取的原料混合、研磨、烘干得混合原料;

2)将所得混合原料在还原气氛下进行煅烧,即得所述长余辉荧光材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述烘干温度为650-750℃。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述还原气氛由氢气和氮气混合而成,其中氢气所占体积含量为5-10%。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧温度为1300-1400℃,时间为15-25h。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学,未经武汉工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911357397.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top