[发明专利]一种芯片组件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911357614.4 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111146163B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 马晓波;王金惠;卢玉溪;纪振帅 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/10;H01L21/52
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 组件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片组件,包括芯片和基板,所述基板的一个表面划分为第一区域和第二区域,所述第二区域环绕所述第一区域,所述芯片设置于所述第一区域,

其特征在于,还包括散热罩和具有弹性的吸附组件,所述吸附组件用于吸收大气压力对所述基板的作用力从而起缓冲作用,所述散热罩具有开口,所述开口用于容置所述芯片,所述吸附组件包括四个依次首尾连接的长条形吸附件,所述吸附组件连接至所述散热罩的开口边缘处,

所述散热罩罩住所述芯片,所述吸附组件位于所述基板的第二区域,其中,所述散热罩开设至少一个为通孔的豁口,且所述豁口与所述第二区域相对应,所述散热罩、吸附组件及基板形成一个密闭空间,通过所述豁口对所述密闭空间抽真空处理。

2.根据权利要求1所述的芯片组件,其特征在于,所述散热罩呈拱形,包括罩底板和包围所述罩底板的罩侧壁,所述罩底板与所述罩侧壁连接,

由所述罩底板与所述罩侧壁包围的空间构成所述散热罩的开口,所述散热罩的开口边缘处设置有向外延伸的凸缘。

3.根据权利要求2所述的芯片组件,其特征在于,所述散热罩设置多个所述豁口,各所述豁口围绕所述芯片布置。

4.根据权利要求1所述的芯片组件,其特征在于,

所述长条形吸附件具有矩形吸盘和连接头,所述矩形吸盘的横截面呈扩口喇叭型,所述连接头的横截面呈L型,

所述矩形吸盘与所述连接头连接,形成U型的凹槽。

5.根据权利要求4所述的芯片组件,其特征在于,所述矩形吸盘的材料为橡胶。

6.根据权利要求1所述的芯片组件,其特征在于,在放置所述吸附组件的所述基板的第二区域设置密封胶。

7.根据权利要求1所述的芯片组件,其特征在于,还包括铟片,所述铟片设置于所述散热罩与所述芯片之间。

8.一种芯片组件制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、基板上表面划分为第一区域和包围所述第一区域的第二区域,所述基板的第一区域设置芯片,所述基板下表面设置锡球层;

S2、印刷电路板(PCB)设置于所述锡球层下方,通过第一次回流焊实现所述印刷电路板(PCB)与所述锡球层连接;

S3、在所述芯片表面喷涂助焊剂,将铟片设置于所述芯片上,在所述铟片表面再次喷涂所述助焊剂;同时在所述基板上表面的第二部分喷涂密封胶;

S4、散热罩具有开口,所述开口用于容置芯片,吸附组件设置于所述散热罩的开口边缘处,所述吸附组件用于吸收大气压力对所述基板的作用力从而起缓冲作用,

散热罩罩住所述芯片和所述铟片,所述散热罩、吸附组件及基板形成一个密闭空间,所述散热罩设置至少一个豁口,所述豁口与所述密闭空间连通,

其中,所述豁口与所述第二区域相对应;

S5、通过所述散热罩的豁口,向所述密闭空间导入高温气体,所述高温气体用于软化铟片;

S6、通过所述散热罩的豁口,对所述密闭空间进行抽真空处理。

9.根据权利要求8所述的芯片组件制备方法,其特征在于,所述第一次回流焊的焊接温度为250℃。

10.根据权利要求8所述的芯片组件制备方法,其特征在于,还包括:S7、第二次回流焊补焊,实现所述散热罩与所述芯片连接,其中,所述第二次回流焊的焊接温度为160℃。

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