[发明专利]集成内部金属屏蔽层的光电神经探针及其制备方法

权利要求书

1.一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针，其特征在于：包括：

硅基底层；

设置于所述硅基底层上的电生理信号记录通道，用于将神经电信号从电极点传导至采集系统的通路；

设置于所述硅基底层上的激光二极管供电通道，用于将脉冲式的电流或者电压信号传导至神经探针基部的焊盘处用于驱动激光二极管工作的通路；

设置于所述硅基底层上的金属屏蔽层；且所述金属屏蔽层集成于所述电生理信号记录通道与所述激光二极管供电通道之间，用于隔离两者，通过所述金属屏蔽层接地，实现对电磁干扰产生的刺激跟随伪迹的衰减，可降低光遗传实验过程中刺激跟随伪迹对神经动作电位造成的污染；

激光二极管；所述激光二极管的阳极与光电神经探针的阳极焊盘通过各向异性导电胶键合实现联通，所述激光二极管的阴极与所述光电神经探针的阴极焊盘与通过金丝球焊键合实现联通，实现所述激光二极管的封装，即将所述激光二极管集成至所述光电神经探针的后端基部。

2.根据权利要求1所述的一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针，其特征在于：所述电生理信号记录通道的材料选用生物相容性材料；

所述生物相容性材料包括金、钛、铂或铂铱合金中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针，其特征在于：所述激光二极管供电通道的材料选用生物相容性材料；

所述生物相容性材料包括金、钛、铂或铂铱合金中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针，其特征在于：还包括：

第一绝缘层；所述第一绝缘层设置于所述硅基底层上，所述电生理信号记录通道设置于所述第一绝缘层上方；

第二绝缘层，其设置于所述电生理信号记录通道的上方，且所述金属屏蔽层设置于所述第二绝缘层上方；

第三绝缘层，其设置于所述金属屏蔽层的上方，且所述激光二极管供电通道设置于所述第三绝缘层的上方。

5.根据权利要求4所述的一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针，其特征在于：还包括：

波导下包层，其设置于所述激光二极管供电通道的上方；

光波导层，其设置于所述波导下包层的上方；

波导上包层，其设置于所述光波导层的上方。

6.一种权利要求1所述的集成内部金属屏蔽层的光电神经探针的制备方法，其特征在于，包括：制备电生理信号记录通道，在所述电生理信号记录导线层的上方制备金属屏蔽层，然后在所述金属屏蔽层的上方制备激光二极管供电通道。

7.根据权利要求6所述的一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针的制备方法，其特征在于，还包括：在制备所述电生理信号记录通道步骤之前，还包括先制备第一绝缘层，再在所述第一绝缘层上方制备所述电生理信号记录通道；然后在制备所述电生理信号记录通道步骤之后，还包括在其上方制备一层第二绝缘层，再在所述第二绝缘层的上方制备所述金属屏蔽层，在制备所述金属屏蔽层步骤之后还包括在其上方制备第三绝缘层，最后，在所述第三绝缘层的上方制备所述激光二极管供电通道。