[发明专利]阵列基板的制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；

图案化所述保护层及所述非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出所述基底未与所述第一结构及所述第二结构接触的部分；其中，所述第一结构位于所述第一有源层区域，所述第二结构环绕所述第二有源层区域，所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度；

在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层包括：

将金属氧化物材料前驱体溶液旋涂于所述第二有源层区域的基底上；

退火处理以得到所述金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，图案化所述保护层及所述非晶硅层以暴露出部分所述基底，并形成至少一个第一结构和至少一个第二结构包括：

利用半色调掩膜工艺形成所述第二结构中的保护层，以使所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述保护层的材料为光刻胶。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述第二结构中的保护层的厚度为0.6微米至0.8微米。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述非晶硅层的厚度为500埃。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述基底上被所述第二结构环绕的区域形成金属氧化物层之后还包括：

去除所述第二结构；

去除所述第一结构中的保护层；

晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层包括：

利用掩膜版遮挡所述金属氧化物层，并暴露出所述非晶硅层，通过退火以晶化所述第一结构中的非晶硅层。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，晶化所述第一结构中的非晶硅层后还包括：

形成覆盖所述基底、所述多晶硅层及所述金属氧化物层的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成与所述多晶硅层及所述金属氧化物层对应的栅极；

对所述多晶硅层及所述金属氧化物层进行离子注入；

形成覆盖所述栅极绝缘层及所述栅极的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成源漏极层。