[发明专利]芯片转移方法、芯片及显示面板

说明书

本发明公开了一种芯片转移方法、芯片及显示面板，属于芯片转移技术领域，芯片转移方法用于将芯片转移至目标基板；芯片包括芯片主体以及设置在芯片主体上的芯片键合层，芯片键合层包括第一芯片键合电极、第二芯片键合电极、配重结构，配重结构围绕第一芯片键合电极和第二芯片键合电极设置，芯片的重心位于芯片主体朝向芯片键合层的一侧；目标基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的基板键合层和辅助对位层，转移方法包括：芯片在重力作用下在绝缘流体中朝向目标基板下落。本发明在芯片转移至目标基板上时，仅需依靠芯片自身重力即可完成对位，免去静电辅助处理的过程，简化转移工艺流程，从而提高了转运效率。

技术领域

本发明涉及芯片转移技术领域，更具体地，涉及一种芯片转移方法、芯片及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，微元件化的制作工艺成为显示面板的一种发展趋势，例如微型发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，即Micro-LED技术。微型发光二极管(Micro-LED)具有自发光显示特性，其优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)技术，Micro-LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，还能避免产生残影现象等。

Micro-LED技术是一种新型的平面显示技术，将发射红光、绿光和蓝光的不同Micro-LED器件以特定排布方式形成LED阵列，可制作形成显示可用的像素阵列，与目前广泛应用的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，微型LED显示器具备更好的对比度，更快的响应速度，更低的能耗。而微型发光二极管芯片是一种新型的光源芯片，具有体积小、亮度高、发光效率高以及功耗低等优点，在显示行业具有广泛的应用前景，广泛应用于指示灯、交通信号灯、显示广告牌等。

在微型发光二极管芯片的制作过程中，通常需要在形成有特定衬底(例如蓝宝石、碳化硅等)的基板(以下将形成有特定衬底的基板称为源基板)上形成，在使用时，需要采用芯片转移设备将芯片从源基板转移至目标基板(例如显示背板)。基于目前的工艺制造基础，制作薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)阵列、Micro-LED芯片和驱动集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片都已具有比较成熟的工艺方式；然而，Micro-LED芯片的巨量转移是制作过程的一个难点。由于Micro-LED芯片非常细小，对其进行巨量转移要求非常高的效率、良品率和转移精度，因此，巨量转移技术成为Micro-LED面板制作过程中最大的技术难点，阻碍了Micro-LED技术的推广与使用。

因此，提供一种可以实现芯片巨量转移的同时，还可以实现精准对位，提高转运效率，简化工艺流程的芯片转移方法、芯片及显示面板，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种芯片转移方法、芯片及显示面板，以解决现有技术中芯片巨量转移困难，转运效率低，准确度不高的问题。