[发明专利]一种光刻胶去除方法及装置

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括以下步骤：

湿法去胶步骤：采用基板片传送装置将基板片传送到湿法去胶腔体中以去除所述基板片表面的光刻胶；

缺陷检测步骤：采用缺陷检测装置检测所述基板片表面的光刻胶总残留量，若光刻胶总残留量低于预设值，则进行下一基板片的湿法去胶步骤及缺陷检测步骤；若光刻胶总残留量高于预设值，则进行去胶返工步骤，并重复所述缺陷检测步骤；

其中，所述去胶返工步骤包括：采用所述基板片传送装置将所述基板片再次传送到所述湿法去胶腔体中以去除所述基板片表面残留的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，所述缺陷检测装置检测光刻胶总残留量包括以下步骤：

对所述基板片进行拍照；

基于拍摄的照片量测各残留区域的尺寸并计算各残留区域的面积及相应残留区域中心的残留光刻胶厚度，其中，第n个残留区域的面积为S_n，第n个残留区域中心的残留光刻胶厚度为H_n，n为整数，且n≥0；

计算光刻胶总残留量P，其中P＝S₁*H₁+S₂*H₂+…+S_n*H_n。

3.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：还包括计算所述基板片去胶返工所需时间的步骤，并基于所述去胶返工所需时间进行所述去胶返工步骤。

4.根据权利要求3所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述去胶返工所需时间t＝P/{(S₁+S₂+...+S_n)*V}，其中，P为光刻胶总残留量，S_n为第n个残留区域的面积，V为单位面积去胶平均速率，n为整数，且n≥0。

5.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：在所述去胶返工步骤中，基于光刻胶残留区域的分布供应去胶液。

6.根据权利要求5所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述基板片包括自所述基板片中心至所述基板片边缘依次排布的至少两个片区，当光刻胶残留区域仅分布在其中一个片区中时，在所述去胶返工步骤中，去胶液供应手臂仅在有光刻胶残留的片区的内边缘至外边缘之间来回摆动；当光刻胶残留区域分布在至少两个片区中时，去胶液供应手臂在有光刻胶残留的最内侧片区的内边缘至有光刻胶残留的最外侧片区的外边缘之间来回摆动。

7.根据权利要求5所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述基板片包括自所述基板片中心至所述基板片边缘依次分布的内圈区域、中圈区域及外圈区域，其中，所述内圈区域的内边缘为所述基板片的中心，所述内圈区域的外边缘与所述基板片中心之间的距离为所述基板片半径的三分之一；所述中圈区域的内边缘与所述内圈区域的外边缘重合，所述中圈区域的外边缘与所述基板片中心之间的距离为所述基板片半径的三分之二；所述外圈区域的内边缘与所述中圈区域的外边缘重合，所述外圈区域的外边缘为所述基板片的外边缘。

8.根据权利要求5-7任意一项所述的光刻胶去除方法，其特征在于，还包括基于光刻胶残留区域的分布计算所述基板片去胶返工所需时间的步骤，并基于所述去胶返工所需时间进行所述去胶返工步骤。

9.根据权利要求8所述的光刻胶去除方法，其特征在于：基于光刻胶残留区域的分布计算所述基板片的去胶返工所需时间包括：计算得到所述基板片不同片区的去胶返工所需时间，并将去胶返工所需时间最长的一个片区的去胶返工所需时间作为所述基板片的去胶返工时间。