[发明专利]高阶全通二端口网络及其构建方法在审

专利信息
申请号: 201911362062.6 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111181524A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 胡峰;白强;唐瑜;柳永胜 申请(专利权)人: 深圳英嘉通半导体有限公司
主分类号: H03H11/28 分类号: H03H11/28
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 周仁青
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高阶全通二 端口 网络 及其 构建 方法
【权利要求书】:

1.一种高阶全通二端口网络,其特征在于,所述高阶全通二端口网络为k阶,k≥3,其半结构在奇偶模式下的拓扑电路包括:

k为奇数时,偶模式下的拓扑电路包括k-1阶偶模式下的拓扑电路及与其并联的感性元件jXk,奇模式下的拓扑电路包括k-1阶奇模式下的拓扑电路及与其串联的容性元件jBk

k为偶数时,偶模式下的拓扑电路包括k-1阶偶模式下的拓扑电路及与其串联的容性元件jBk,奇模式下的拓扑电路包括k-1阶奇模式下的拓扑电路及与其并联的感性元件jXk

2.根据权利要求1所述的高阶全通二端口网络,其特征在于,所述高阶全通二端口网络中,感性元件jXk和容性元件jBk满足Xk为感性元件的电抗值,Bk为容性元件的电纳值,Z0为端口匹配阻抗。

3.根据权利要求1所述的高阶全通二端口网络,其特征在于,二阶全通二端口网络半结构在奇偶模式下的拓扑电路包括:

偶模式下包括串联设置的感性元件jX1和容性元件jB2

奇模式下包括并联设置的容性元件jB1和感性元件jX2

4.根据权利要求3所述的高阶全通二端口网络,其特征在于,三阶全通二端口网络半结构在奇偶模式下的拓扑电路包括:

偶模式下包括二阶偶模式下的拓扑电路及与其并联设置的感性元件jX3

奇模式下包括二阶奇模式下的拓扑电路及与其串联设置的容性元件jB3

5.根据权利要求4所述的高阶全通二端口网络,其特征在于,四阶全通二端口网络半结构在奇偶模式下的拓扑电路包括:

偶模式下包括三阶偶模式下的拓扑电路及与其串联设置的容性元件jB4

奇模式下包括三阶奇模式下的拓扑电路及与其并联设置的感性元件jX4

6.根据权利要求1~5中任一项所述的高阶全通二端口网络,其特征在于,所述感性元件包括电感,容性元件包括电容。

7.一种高阶全通二端口网络的构建方法,其特征在于,所述方法包括:

S1、确定二阶全通二端口网络半结构在奇模式和偶模式下的拓扑电路;

S2、构建高阶全通二端口网络半结构在奇模式和偶模式下的拓扑电路,包括:

k为奇数时,偶模式下的拓扑电路为在k-1阶偶模式下的拓扑电路中并联感性元件jXk,奇模式下的拓扑电路为在k-1阶奇模式下的拓扑电路中串联容性元件jBk

k为偶数时,偶模式下的拓扑电路为在k-1阶偶模式下的拓扑电路中串联容性元件jBk,奇模式下的拓扑电路中k-1阶奇模式下的拓扑电路中并联感性元件jXk

S3、基于奇偶模式下的网络拓扑综合得到高阶全通二端口网络。

8.根据权利要求7所述的高阶全通二端口网络的构建方法,其特征在于,所述步骤S3前还包括:

根据确定感性元件jXk和容性元件jBk的值,其中,Xk为感性元件的电抗值,Bk为容性元件的电纳值,Z0为端口匹配阻抗。

9.根据权利要求7所述的高阶全通二端口网络的构建方法,其特征在于,所述二阶全通二端口网络半结构在奇模式和偶模式下的拓扑电路具体为:

偶模式下包括串联设置的感性元件jX1和容性元件jB2

奇模式下包括并联设置的容性元件jB1和感性元件jX2

10.根据权利要求7~9中任一项所述的高阶全通二端口网络的构建方法,其特征在于,所述感性元件包括电感,容性元件包括电容。

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