[发明专利]一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法

权利要求书

1.一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

1）制备垂直腔面发射激光器器件半导体外延层结构，并进行第一次化学沉积形成第一钝化层；

2）在所述外延层结构上刻蚀形成沟道或形成发光台面结构；

3）利用所述沟道暴露出氧化层，定义出对应的发光区域；

4）进行第二次化学沉积，形成第二钝化层，并将水平方向上台面边缘以内与发光区域以外之间的钝化层刻蚀掉以形成P型欧姆接触区，将切割道的第一钝化层、第二钝化层刻蚀掉以形成单元芯片区；

5）在所述第二钝化层上，光刻定义出P型欧姆接触金属，然后镀多层P型欧姆金属形成P电极金属层；

6）在N型衬底下镀N电极金属层；

通过调节P型欧姆接触金属厚度，将P型欧姆接触金属作为阳极焊盘金属使用。

2.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：所述半导体外延层结构包括，P型分布布拉格反射镜、量子阱层、 N型分布布拉格反射镜、N型衬底层、P电极金属层、N电极金属层。

3.如权利要求2所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：所述P型分布布拉格反射镜和N型分布布拉格反射镜材料选自Al,Ga,As,In,P元素化合物的一种或几种，或Si, N, O, Al元素形成电介质的一种或几种，量子阱层材料选自Ga,Al, In, As, P, N元素化合物的一种或几种，P电极金属层、N电极金属层材料选自: Ti,Pt, Au, Pd, Ge, Ni金属的一种或几种。

4.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：所述氧化层的形成利用湿氧化工艺。

5.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：所述氧化层形成之后用离子注入的方式进行钝化和电学隔离。

6.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：所述第一钝化层材料、第二钝化层材料选自Si, N, O, Al元素形成电介质的一种或几种。

7.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：P型欧姆金属形成利用蒸镀、溅镀、电镀或化镀技术。

8.如权利要求1所述的一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：调节N型欧姆接触金属厚度，将N型欧姆接触金属作为阴极焊盘金属使用。