[发明专利]四阶全通二端口网络及其构建方法

权利要求书

1.一种四阶全通二端口网络，其特征在于，所述四阶全通二端口网络呈镜像对称分布，其包括：

感性元件L_d，电性连接于第一端口和第二端口之间；

容性元件C_c及C_x，两组串联设置的容性元件C_c及C_x分别电性连接于第一端口和第一节点之间、及第二端口和第一节点之间；

感性元件L_c，两个感性元件L_c对称电性连接于第一节点和第二节点之间；

感性元件L_a及容性元件C_b，两组串联设置的感性元件L_a及容性元件C_b对称电性连接于第一节点和第二节点之间；

感性元件L_b及容性元件C_y，感性元件L_b及容性元件C_y并联后电性连接于两组容性元件C_c及C_x之间。

2.根据权利要求1所述的四阶全通二端口网络，其特征在于，所述四阶全通二端口网络在奇模式和偶模式下的半结构电路包括：

偶模式下，包括串联设置的感性元件L₁及容性元件C₂、与L₁及C₂并联设置的感性元件L₃、及与L₁、C₂、L₃串联设置的容性元件C₄；

奇模式下，包括并联设置的容性元件C₁及感性元件L₂、与C₁及L₂串联设置的容性元件C₃、及与C₁、L₂、C₃并联设置的感性元件L₄；

其中，感性元件的电抗值和容性元件的电纳值满足L_a＝L₁，L_b＝2L₂，L_c＝L₃，L_d＝2L₄，C_b＝C₂，C_c＝C₃，

3.根据权利要求2所述的四阶全通二端口网络，其特征在于，所述四阶全通二端口网络中，感性元件的电抗值和容性元件的电纳值满足：

其中，L_n为感性元件的电抗值，C_n为容性元件的电纳值，Z₀为端口匹配阻抗。

4.根据权利要求2所述的四阶全通二端口网络，其特征在于，所述四阶全通二端口网络在奇模式和偶模式下半结构的输入阻抗Z_in,e、Y_in,o分别为：

输入阻抗Z_in,e、Y_in,o满足

其中，X₁＝ωL₁，X₂＝ωL₂，X₃＝ωL₃，X₄＝ωL₄，B₁＝ωC₁，B₂＝ωC₂，B₃＝ωC₃，B₄＝ωC₄，ω为角频率，Z₀为端口匹配阻抗。

5.根据权利要求1所述的四阶全通二端口网络，其特征在于，所述第二节点接GND。

6.根据权利要求1所述的四阶全通二端口网络，其特征在于，所述感性元件包括电感，容性元件包括电容。