[发明专利]改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种改善SiC晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型SiC晶圆，其中，所述晶圆由于正面离子注入形成正面掺杂区而发生翘曲，所述正面掺杂区为构成半导体器件所需的掺杂区；

对所述晶圆的背面首次进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成与所述正面掺杂区对应设置的第一背面掺杂区，以使背面离子注入与正面离子注入产生的应力相互抵消；

对所述晶圆进行高温激活退火，以消除所述晶圆上的残余应力；

刻蚀所述晶圆的整个背面，以刻蚀掉所述第一背面掺杂区；

对所述晶圆的背面再次进行离子注入，以通过注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第二背面掺杂区，从而消除因刻蚀造成的晶圆翘曲；

对所述晶圆的背面进行金属化处理，以形成构成所述半导体器件所需的背面金属层并同时抵消因背面再次进行离子注入而造成的晶圆翘曲。

2.根据权利要求1所述的改善SiC晶圆翘曲的方法，其特征在于：

所述第一背面掺杂区的离子掺杂浓度大于或等于所述正面掺杂区的离子掺杂浓度；

所述第一背面掺杂区的深度大于或等于所述正面掺杂区的深度。

3.根据权利要求1所述的改善SiC晶圆翘曲的方法，其特征在于，在对所述晶圆的背面进行首次离子注入的步骤中，

对所述晶圆的背面注入的离子为第一导电类型或第二导电类型的高能离子。

4.根据权利要求1所述的改善SiC晶圆翘曲的方法，其特征在于，在刻蚀所述晶圆的整个背面的步骤中：

刻蚀所述晶圆的整个背面的刻蚀深度大于所述第一背面掺杂区的深度。

5.一种SiC半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型SiC晶圆；

对所述晶圆的正面进行第一次离子注入，以通过对所述晶圆的正面注入第二导电类型的高能离子在所述晶圆的正面内形成第二导电类型第一阱区；

对所述晶圆的背面进行第一次离子注入，以通过对所述晶圆的背面注入高能离子在所述晶圆的背面内形成与所述第一阱区对应设置的第二阱区；

对所述晶圆的正面进行第二次离子注入，以通过对所述晶圆的正面注入第一导电类型的高能离子在所述晶圆的正面于所述第一阱区内形成第一导电类型第一源区；

对所述晶圆的背面进行第二次离子注入，以通过对所述晶圆的背面注入高能离子在所述晶圆的背面于所述第二阱区内形成与所述第一源区对应设置的第二源区；

对所述晶圆进行高温激活退火；

刻蚀所述晶圆的整个背面，以刻蚀掉所述第二阱区和所述第二源区；

对所述晶圆的背面进行第三次离子注入，以通过对所述晶圆的背面注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第一导电类型掺杂区；

对所述晶圆的背面进行金属化处理，以形成背面金属层；其中，金属化处理产生的应力与背面第三次离子注入产生的应力相互抵消。

6.根据权利要求5所述的SiC半导体器件的制备方法，其特征在于：

所述第二阱区的离子掺杂浓度大于或等于所述第一阱区的离子掺杂浓度；

所述第二阱区的深度大于或等于所述第一阱区的深度。

7.根据权利要求5所述的SiC半导体器件的制备方法，其特征在于：

所述第二源区的离子掺杂浓度大于或等于所述第一源区的离子掺杂浓度；

所述第二源区的深度大于或等于所述第一源区的深度。

8.根据权利要求5所述的SiC半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述晶圆的背面进行第一次离子注入的步骤中，

对所述晶圆的背面注入的离子为第一导电类型或第二导电类型的高能离子。

9.根据权利要求5所述的SiC半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述晶圆的背面进行第二次离子注入的步骤中，

对所述晶圆的背面注入的离子为第一导电类型或第二导电类型的高能离子。