[发明专利]太阳能电池片及其制造方法在审
申请号: | 201911363890.1 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN110931574A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 姚骞;常青;马列;张家峰;王秀鹏 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种太阳能电池片及其制造方法,太阳能电池片包括基体片和设置在基体片上的栅线,基体片包括硅片和钝化层。钝化层设置在硅片的表面上,钝化层上设置有多个沿其高度方向贯穿的容纳孔,容纳孔在钝化层的外表面上具有顶部开口,且容纳孔的底部由硅片密封。栅线包括彼此相连的两部分,其中第二部分位于钝化层的外表面上,第一部分经由顶部开口进入容纳孔以固定在容纳孔中,并在容纳孔的底部与硅片接触。本发明的太阳能电池片的钝化层设置有容纳孔,栅线在容纳孔底部与硅片的接触,该接触面积较小,能够有效降低栅线和硅片接触而导致的复合,可显著提升电池转换效率。
技术领域
本发明涉及能源领域,尤其涉及一种太阳能电池片及其制造方法。
背景技术
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快,生态环境不断恶化,特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化,人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略,以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一,有望成为未来全球电力供应的主要支柱。
在新一轮能源变革过程中,我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而,光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战,转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍,而成本控制与规模化又在经济上形成制约。
近几年,各种新型晶硅技术层出不穷。目前市场上主流晶硅电池技术如钝化背面及发射极(PERC、PERL、PERT)、钝化接触(TOPCon、 POLO)、异质结(HJT、HIT、HDT)太阳能电池等,主流量产效率可以超过22%。目前市场上超过98%的电池技术均采用丝网印刷栅线的方式形成正面金属电极,通过挤压银浆料透过网版的网孔,渗透到硅片表面形成具有一定高度和宽度的栅线,再经过高温烧结与硅片形成良好的接触。丝网印刷栅线是目前主流晶硅电池制备的必须过程,对太阳能电池的转换效率有重大影响。但目前主流的晶硅太阳能电池印刷的栅线是烧穿电池表面钝化膜再与硅片实现全接触。由于栅线和硅片接触面积较大,因此在接触点会有大量的载流子复合,从而电池开路电压和转换效率都较低。
因而需要提供一种新颖太阳能电池片及其制造方法,以至少部分地解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种太阳能电池片及其制造方法。本发明的栅线与硅片的接触面积较小,能够有效降低栅线和硅片接触而导致的复合,可显著提升电池转换效率。
具体地,太阳能电池片的钝化层上设置有上下贯穿的容纳孔,栅线的用于导出载流子的第一部分容纳在容纳孔中,栅线的用于将载流子传输到另一栅线的第二部分位于钝化层的外表面上。该第二部分可以采用烧穿能力较弱的导电材质制成,这样该部分便不会烧穿钝化层而与硅片接触,因而仅仅是位于容纳孔内的第一部分与硅片接触。
本发明一方面提供了一种太阳能电池片,所述太阳能电池片包括基体片和设置在所述基体片上的栅线,所述基体片包括:
硅片;
钝化层,所述钝化层设置在所述硅片的表面上,所述钝化层上设置有多个沿其高度方向贯穿的容纳孔,所述容纳孔在所述钝化层的外表面上具有顶部开口,且所述容纳孔的底部通到所述硅片,
其中,栅线包括彼此相连的两部分,其中第二部分位于所述钝化层的外表面上,第一部分经由所述顶部开口进入所述容纳孔以固定在所述容纳孔中,并在所述容纳孔的底部与所述硅片接触。
在一种实施方式中,所述第一部分的烧穿能力强于所述第二部分;或者
所述第二部分和所述第一部分为由同一种材质制成的栅线。
在一种实施方式中,所述栅线为副栅线,且所述太阳能电池片还包括跨越在各个所述副栅线上的主栅线,并且所述主栅线的烧穿能力强于所述副栅线的所述第二部分的烧穿能力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的