[发明专利]一种新型半导体芯片及其制作工艺

权利要求书

1.一种新型半导体芯片，其特征在于：包括正多边形的基盘，所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片，所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道，所述环形沟道内钝化有玻璃。

2.如权利要求1所述的一种新型半导体芯片，其特征在于：所述环形沟道的外圈圆为正多边形基盘的内切圆。

3.如权利要求1所述的一种新型半导体芯片，其特征在于：所述正多边形基盘的边数为3-20条。

4.如权利要求1或3所述的一种新型半导体芯片，其特征在于：所述正多边形基盘的边数为3、4或6条。

5.一种权利要求1所述的半导体芯片的制作工艺，其特征在于：包含以下步骤：

准备好光刻板，并在光刻板上利用几何知识设计出多个有序排列的正多边形基盘的图案，并在每个正多边形基盘的图案的中心处设计出圆形芯片的图案，所述圆形芯片的图案和基盘的图案之间设有一圈环形沟道的图案；

在准备好的晶圆上涂满光刻胶，将光刻板附在晶圆上，在真空条件下完成曝光，再通过显影技术去除晶圆上不需要光刻胶保护的区域的光刻胶，所述不需要光刻胶保护的区域为环形沟道所在区域；

再通过蚀刻技术去除晶圆不需要保护的区域的表层，完成开沟漏出PN结；

清洗去除晶圆上所有的光刻胶，并在晶圆上涂满玻璃胶，用光刻板盖上曝光，再通过显影去掉晶圆上不需要玻璃胶保护的区域的玻璃胶，所述不需要玻璃胶保护的区域为蚀刻后形成的环形沟道所在区域，再将玻璃烧结，钝化结晶；

再通过蒸镀或者化学镀完成晶圆上除玻璃覆盖区域外的其他区域的表面金属化；

按照圆形芯片外的正多边形基盘的边沿使用切割机进行切割，裁切下的半导体芯片包括正多边形基盘和设置于基盘正中心处的圆形芯片。

6.如权利要求5所述的一种新型半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述正多边形基盘的边数为3-20条。

7.如权利要求5或6所述的一种新型半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述正多边形基盘的边数为3、4或6条。

8.如权利要求5所述的一种新型半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述步骤（1）中光刻板上将圆形沟道的外圈圆设计成正多边形基盘的内切圆。