[发明专利]微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法有效
申请号: | 201911364394.8 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111180478B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 兰叶;吴志浩;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 外延 显示 阵列 及其 制作方法 | ||
本公开提供了一种微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法,属于半导体技术领域。包括:在基板上依次形成驱动电路和绝缘层,绝缘层为混有金刚石颗粒的SOG层;在绝缘层上开设延伸至驱动电路的通孔,并在通孔内填充导电材料;在绝缘层上间隔设置多个半导体器件并加热,每个半导体器件包括依次层叠在绝缘层上的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层、缓冲层和蓝宝石衬底,多个半导体器件中的P型电极分别通过导电材料与驱动电路电连接;采用激光剥离的方式去除多个半导体器件中的蓝宝石衬底,采用干法刻蚀的方式去除缓冲层,并在电子产生层上设置N型电极。本公开有利于散热。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,特别涉及一种微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法。
背景技术
发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,广泛地应用在日常生活中的显示、装饰、通讯和照明等领域。通过采用不同的半导体材料和结构,发光二极管能够覆盖从紫外到红外的全色范围,基本占据了室内和室外的大间距显示器市场。其中,间距是指显示器中相邻两个显示单元之间的距离,与显示器的分辨率有关。
当前小间距显示器市场仍以液晶显示器(英文:Liquid Crystal Display,简称:LCD)为主流。虽然有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)正在某些领域替代LCD成为主流,但是OLED存在烧屏等问题。微型发光二极管(英文:MicroLED)是指边长在10微米~100微米的超小型发光二极管,体积小,可以更密集地排列在一起而大幅提高分辨率,并且具有自发光特性,在高亮度、高对比度、快速反应和省电等方面都优于LCD和OLED,未来很可能会进一步占据小间距显示器市场。
显示阵列是小间距显示器和大间距显示器的基本结构。相关技术中,Micro LED的显示阵列包括电路板和多个芯片,电路板包括依次层叠的基板、驱动电路和绝缘层,多个芯片间隔设置在绝缘层上。绝缘层的材料采用二氧化硅,绝缘层中设有连通芯片和对应的控制电路的通孔。基板用于起到承载支撑的作用,驱动电路用于分别控制各个芯片的发光,绝缘层用于将芯片与自己对应的控制电路电连接,并与其它芯片对应的控制电路绝缘。
在实现本公开的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:
在小间距显示器中,大量的Micro LED芯片密集布置在电路板上,工作过程中会产生的热量很多。但是二氧化硅的热传导系数为7.6W/(m*K),无法有效散发Micro LED芯片产生的热量,导致小间距显示器长时间使用会存在较大的隐患,不利于Micro LED在小间距显示器上的推广和稳定使用。
发明内容
本公开实施例提供了一种微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法,可以有效散发Micro LED芯片产生的热量,促进Micro LED在小间距显示器上的推广和稳定使用。所述技术方案如下:
一方面,本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列的制作方法,所述制作方法包括:
在基板上形成驱动电路;
在所述驱动电路上铺设绝缘层,所述绝缘层为混有金刚石颗粒的旋转涂布玻璃SOG层;
在所述绝缘层上开设延伸至所述驱动电路的通孔,并在所述通孔内填充导电材料,形成电路板;
在所述绝缘层上间隔设置多个半导体器件并加热,将所述多个半导体器件与所述电路板键合在一起,每个所述半导体器件包括依次层叠在所述绝缘层上的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层、缓冲层和蓝宝石衬底,所述多个半导体器件中的P型电极分别通过所述通孔内的导电材料与所述驱动电路电连接;
采用激光剥离的方式去除所述多个半导体器件中的蓝宝石衬底,采用干法刻蚀的方式去除所述缓冲层,并在所述电子产生层上设置N型电极,形成芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的