[发明专利]一种改善薄膜缺陷的方法在审
| 申请号： | 201911364401.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111146077A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 米魁;程刘锁 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 薄膜 缺陷 方法 | ||
1.一种改善薄膜缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、将气相物传输至反应腔中的晶圆表面；
步骤二、所述气相物发生化学反应后形成反应分子；
步骤三、所述反应分子吸附在所述晶圆表面，并在所述晶圆表面成核逐步变大淀积成薄膜；
步骤四、淀积完成后，将气态副产物抽离所述反应腔；
步骤五、对晶圆表面进行NH3等离子体处理以减少晶圆表面缺陷产生。
2.根据权利要求1所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述气相物包括SiH4和NH3。
3.根据权利要求1所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：步骤二中所述气相物发生化学反应形成的反应分子为Si3N4。
4.根据权利要求3所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：步骤四中淀积完成后的气态副产物包括H2。
5.根据权利要求4所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆表面进行NH3等离子处理的方法包括：以N2作为载体在所述反应腔中通入NH3等离子气体。
6.根据权利要求5所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆表面进行NH3等离子体处理的时间为20～30s。
7.根据权利要求1所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：在进行步骤一前先进行反应腔的反应程式的建立。
8.根据权利要求7所述的改善薄膜缺陷的方法，其特征在于：在进行反应腔的反应程式建立后、进行步骤一前将晶圆表面进行预热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
