[发明专利]一种沟槽体内场版结构的形成方法在审
| 申请号： | 201911364405.2 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111129124A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓日 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 体内 结构 形成 方法 | ||
1.一种沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，在所述衬底上刻蚀形成沟槽；
步骤二、在所述沟槽的底部和侧壁形成多晶硅；
步骤三、同时热氧化所述沟槽底部和侧壁的多晶硅，之后热氧化与所述多晶硅接触区域的硅衬底，使得所述多晶硅被充分热氧化；
步骤四、在具有所述多晶硅侧壁的所述沟槽内填充多晶硅。
2.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤一中所述沟槽的形状为U型。
3.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤二中采用炉管淀积的方法在所述沟槽的底部和侧壁形成多晶硅。
4.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤二中根据器件的耐压大小形成所述多晶硅的厚度。
5.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤二中形成的所述多晶硅的厚度为2000-3000埃。
6.根据权利要求5所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤二中形成所述多晶硅的厚度根据耐压为120V的击穿电压而形成。
7.根据权利要求2所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤三中与所述多晶硅接触区域的硅衬底为所述U型沟槽之外小于所述多晶硅十分之一厚度的硅衬底。
8.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤三中采用炉管热氧化所述多晶硅。
9.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤三中采用炉管热氧化所述硅衬底。
10.根据权利要求1所述的沟槽体内场版结构的形成方法，其特征在于：步骤四中采用炉管淀积的方法在所述沟槽内填充多晶硅。
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