[发明专利]一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法

权利要求书

1.一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、编写ASML曝光排布模拟软件和ASML光刻机水平采样模拟软件；其中编写所述曝光排布模拟软件的方法为：根据产品的shot大小、die大小、聚焦边缘间距宽度、划线槽宽度和激光标记位置计算shot横轴和纵轴偏移量shot offset X/Y；其中计算shot横轴和纵轴偏移量的方法包括：(1)从晶圆缺口位置排shot，所述缺口上方第一个完整shot距离晶圆边缘5-7mm的位置用于摆放激光标记，并求得每个shot四角的坐标，之后算出晶圆中心shot的中心点相对于晶圆中心的横纵轴偏移量shot offset X/Y；(2)计算die四角坐标；

步骤二、模拟ASML曝光排布和ASML光刻机水平采样点位置；

步骤三、确认有完整die的边缘部分shot是否有水平采样点，若无则进行步骤四，若有则进行产品片作业；

步骤四、优化曝光排布，保证有完整die的shot至少有一个水平采样点为止。

2.根据权利要求1所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤一中ASML曝光排布模拟软件为关于shot和die的曝光排布软件。

3.根据权利要求2所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤一中使用excel VBA编程方法编写所述曝光排布模拟软件 。

4.根据权利要求3所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤一中编写所述ASML光刻机水平采样模拟软件的方法包括：(a)从所述ASML曝光排布模拟软件中可以获取shot大小、die大小、聚焦边缘间距宽度、划线槽宽度、激光标记位置和所述shot offsetX/Y的信息；(b)计算每个水平传感器相对shot的坐标；(c)将所述水平传感器相对shot的坐标叠加上shot坐标，得出所述水平传感器四角的坐标。

5.根据权利要求1所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤二中模拟ASML曝光排布是通过输入shot尺寸和聚焦边缘间距，将晶圆shot、die、缺口和聚焦边缘间距画在一张图中，调用excel VBA中多边形和线段画图函数在模拟完整die的同时模拟出晶圆边缘的不完整die。

6.根据权利要求4所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤二中模拟ASML光刻机水平采样点位置的方法是根据计算出的所述水平传感器四角的坐标画模拟图。

7.根据权利要求1所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤四中通过调整shot offset X以及所述聚焦边缘间距宽度来优化曝光排布。

8.根据权利要求5所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤二中输入shot尺寸为：横向步长间距为25.2mm；纵向步长间距为32mm。

9.根据权利要求5所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤二中输入的所述聚焦边缘间距为3mm。

10.根据权利要求7所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤四中调整所述shot offset X的方法为每次调整1微米。

11.根据权利要求8所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤四中所述shot offset X优化为1.5mm，shot offset Y优化为1.03mm。

12.根据权利要求1所述的减少晶圆边缘聚焦不良的方法，其特征在于：步骤四中所述聚焦边缘间距宽度优化为2.2mm。