[发明专利]清扫离子注入机束流通道的方法

权利要求书

1.一种清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：使用样本离子，通过调整离子的能量及束流条件，以及调整设备参数，使离子束尽可能发散，通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层，将侧壁上的镀层被轰击下来形成颗粒并被带走，实现清扫离子注入机束流通道的目的。

2.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述离子注入机在离子注入过程中，束流中的存在发散的离子，这些离子会贴附到束流通道的侧壁上形成镀层。

3.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述样本离子包括砷离子、硼离子。

4.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：包含如下的步骤：

第一步，使用砷离子进行轰击，使束流通道侧壁上的镀层剥落；

第二步，使用硼离子进行轰击，带走侧壁上剥落下来的镀层；

第三步，再次使用砷离子进行轰击，使离子注入机的工艺腔恢复到稳定状态。

5.如权利要求4所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述第一步中，使用低能量小束流的砷离子对束流通道侧壁上的镀层轰击600S，所述能量小于10Kev，所述束流小于0.5mA。

6.如权利要求4所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述步骤二中，使用低能量小束流的硼离子对束流通道侧壁上的镀层轰击300S；所述能量小于10Kev，所述束流小于0.5mA。

7.如权利要求4所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述步骤三中，使用高能量大束流的砷离子进行轰击；所述能量大于70Kev，所述束流大于10mA。

8.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法，其特征在于：所述方法还包括，在离子注入机的工艺腔中晶圆托盘上放置涂有光刻胶的晶圆，所述涂有光刻胶的晶圆能吸附进入工艺腔中部分清扫出的镀层颗粒杂质。