[发明专利]结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统在审
| 申请号： | 201911364732.8 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111384158A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L23/367;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/786;H01L29/872;H01L33/26;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 氧化物 半导体 装置 系统 | ||
1.一种结晶性氧化物半导体，至少包括第一晶轴和第二晶轴，其特征在于，
所述结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，
所述结晶性氧化物半导体的第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，
所述结晶性氧化物半导体的第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，
所述结晶性氧化物半导体的第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
2.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体，其中，以包含镓的金属氧化物为主要成分。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性氧化物半导体，其中，以具有刚玉结构的金属氧化物为主要成分。
4.根据权利要求3所述的结晶性氧化物半导体，其中，所述金属氧化物至少包括镓、铟、铑或铱。
5.根据权利要求3所述的结晶性氧化物半导体，其中，所述金属氧化物包括镓、铟和/或铝。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的结晶性氧化物半导体，其中，所述第一边和所述第二边均以直线表示。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的结晶性氧化物半导体，其中，其为膜状。
8.根据权利要求7所述的结晶性氧化物半导体，其中，具有刚玉结构，且所述膜的主面为a面、m面或r面。
9.根据权利要求7所述的结晶性氧化物半导体，其中，具有刚玉结构，所述膜的主面为c面，并且具有0.2°以上的偏角。
10.一种半导体装置，至少具备半导体层和电极，其中，所述半导体层包括权利要求1～9中任一项所述的结晶性氧化物半导体。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，其为功率器件。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，其为功率模块、逆变器或转换器。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，其为功率卡。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，还包括冷却器和绝缘部件，在所述半导体层的两侧至少经由所述绝缘部件分别设置有所述冷却器。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在所述半导体层的两侧分别设置有散热层，在所述散热层的外侧至少经由所述绝缘部件分别设置有所述冷却器。
16.一种半导体系统，具备半导体装置，其中，所述半导体装置为权利要求10～15中任一项所述的半导体装置。
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