[发明专利]电源装置在审

专利信息
申请号: 201911365103.7 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111049222A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 王红星;李番军;姚斌;刘明 申请(专利权)人: 上海派能能源科技股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M3/157;H02M3/158;H02M3/335
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源 装置
【权利要求书】:

1.一种电源装置,其特征在于,包括:至少一个电源组件;

每个所述电源组件包括:电池组、控制模块、升/降压模块和双向DC-DC变换模块,其中,

所述升/降压模块的第一高压侧通过高压直流端口与高压母线相连;

所述双向DC-DC变换模块的第二高压侧与所述升/降压模块的第一低压侧相连,所述双向DC-DC变换模块的第二低压侧与所述电池组相连;

所述控制模块包括AD采样单元,所述AD采样单元用于采集所述高压直流端口的电压,所述控制模块在所述电压高于预设充电阈值时,所述控制模块控制所述高压母线通过所述升/降压模块以及所述双向DC-DC变换模块对所述电池组充电;在所述电压低于预设放电阈值时,所述控制模块控制所述电池组通过所述双向DC-DC变换模块以及所述升/降压模块对所述高压母线放电。

2.根据权利要求1所述的电源装置,其特征在于,所述升/降压模块包括第一MOS管、第二MOS管、第一电感、第一电阻和第一电容,其中,所述第一MOS管的漏极与高压直流端口的正极相连,所述第一MOS管的源极与所述第一电感的第一端相连,所述第一电感的第二端与所述双向DC-DC变换模块的第二高压侧的第一端相连,所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极相连,所述第二MOS管的源极与所述高压直流端口的负极相连,所述第一电阻的第一端与所述高压直流端口的负极相连,所述第一电阻的第二端与所述第二MOS管的源极相连,所述第一电容的第一端与所述双向DC-DC变换模块的第二高压侧的第一端相连,所述第一电容的第二端与所述双向DC-DC变换模块的第二高压侧的第二端相连。

3.根据权利要求2所述的电源装置,其特征在于,所述双向DC-DC变换模块包括左单相全桥、右单相全桥、隔离变压器和第二电阻,其中,所述左单相全桥包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第二电容和第二电感,所述右单相全桥包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第三电容和第三电感,其中,

所述第三MOS管的漏极与所述第一电感的第二端相连,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极相连,所述第四MOS管的源极接地,所述第五MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极相连,所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极相连,所述第六MOS管的源极接地;所述第二电容的第一端与所述第三MOS管的源极相连,所述第一电容的第二端与所述隔离变压器的原边绕组的第一端相连,所述第二电感的第一端与所述第六MOS管的漏极相连,所述第二电感的第二端与所述隔离变压器的原边绕组的第二端相连;

所述第七MOS管的漏极与所述电池组的正极相连,所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极相连,所述第八MOS管的源极接地,所述第九MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极相连,所述第九MOS管的源极与所述第十MOS管的漏极相连,所述第十MOS管的源极接地;所述第三电容的第一端与所述隔离变压器的副边绕组的第一端相连,所述第三电容的第二端与所述第七MOS管的源极相连,所述第三电感的第一端与所述隔离变压器的副边绕组的第二端相连,所述第三电感的第二端与所述第十MOS管的漏极相连;

所述第二电阻的第一端与所述第十MOS管的漏极相连,所述第二电阻的第二端与所述电池组的负极相连。

4.根据权利要求3所述的电源装置,其特征在于,所述第一MOS管至第十MOS管为N沟道增强型MOS场效应管。

5.根据权利要求3所述的电源装置,其特征在于,所述控制模块还包括PWM单元,所述PWM单元包括十路PWM信号输出端,十路PWM信号输出端分别与所述第一MOS管至所述第十MOS管的栅极一一对应电连接。

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