[发明专利]增强可靠性的高压电平移位电路和方法有效

专利信息
申请号: 201911365107.5 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111049515B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 冯翰雪;李冬超 申请(专利权)人: 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 仲崇明
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 增强 可靠性 高压 电平 移位 电路 方法
【说明书】:

发明揭示了一种增强可靠性的高压电平移位电路和方法,该电路将低电压域输入信号电平移位成高电压域输出信号,所述高压电平移位电路包括耦合电路,该耦合电路被配置为响应于所述高电压域信号的上升沿和/或下降沿,并保持高电压域输出信号状态。本发明利用RC耦合电路在HV_VSS/HV_VDD上升沿、下降沿产生脉冲信号,保持高压端latch的状态,避免latch出现误翻转,解决了高压电路中HV_VSS/HV_VDD变化斜率非常大时引起错误翻转的问题。

技术领域

本发明属于涉及一种电平移位电路,具体涉及一种增强可靠性的高压电平移位电路和方法。

背景技术

电平移位电路有广泛的应用,例如在DC/DC、马达驱动器、负载开关等电路中电平移位电路可控制高边功率管的导通关闭。

结合图1和2所示,传统的电平移位电路应用在DC/DC、马达驱动电路中,特别是高压的情况,存在可靠性问题,也即latch状态会误翻转,输出信号OUT的高低逻辑状态与输入信号ON不一致。此问题的根源是:

1、DC/DC、马达驱动电路中,HV_VDD与HV_VSS之间压差固定,但HV_VSS会在0V附近和一个高压电压之间快速切换,并且切换时的斜率可能高达5V/ns。

2、高压电路中,PM3/PM4/NM3~NM6都必须使用高压MOS,其漏极、源极寄生电容明显,也即ON_HV/OFF_HV节点有较大寄生电容,如图1所示的Cpar1/Cpar2。

3、在输入信号高低变换时,Cpar1/Cpar2需要快速的充电才能保证输出逻辑正确,以下以输入ON的上升沿为例说明,如图3中(a)所示:

输入信号ON变高,ON_HV变低等于HV_VSS电压,OFF_HV变高等于HV_VDD;NM1/PM2导通,NM2/PM1截止。

然后HV_VSS/HV_VDD出现很快的上升沿。上升沿过程中,ON_HV/OFF_HV也需要跟随HV_VSS/HV_VDD快速上升。对于ON_HV和OFF_HV节点,由于NM1和NM2的寄生二极管具有较强的电流能力,因此可以快速为Cpar1和Cpar2充电,并且把ON_HV和OFF_HV节点上推至相同电位。

当HV_VSS/HV_VDD刚刚停止上升,PM3,PM4均无法导通。此时锁存器latch的四个器件的工作状态完全相同,处于“失锁”状态,此时ON_HV和OFF_HV任何一个节点受到扰动,都可能使锁存器再次锁定。而输出结果正确与否,取决于哪一个节点受到了扰动。

4、类似的,如图3中(b)所示,输入ON信号变低,OUT会出现相反状态,然后HV_VSS/HV_VDD出现很快的下降沿,需要为Cpar1和Cpar2快速放电。由于PM1,PM2的寄生二极管具有较强的电流能力,因此可以快速为Cpar1和Cpar2放电,并且把ON_HV和OFF_HV节点下拉至相同电位。后续出现“失锁”以及扰动导致latch锁定在错误状态与ON信号变高原理相同。

5、同样,如果PCB、bonding wire等的寄生电感太大,HV_VSS/HV_VDD产生了高频振荡,其中的高速上升/下降沿也会引发电平移位电路产生错误输出。

如何提供一种可靠性的高压电平移位电路,是一个急需解决的问题。

发明内容

本发明一实施例提供一种增强可靠性的高压电平移位电路和方法,特别在高电压、高摆率的情形,可以避免输出信号状态出错。包括:

提供一种增强可靠性的高压电平移位电路,将低电压域输入信号电平移位成高电压域输出信号,所述高压电平移位电路包括耦合电路,该耦合电路被配置为响应于所述高电压域信号的上升沿和/或下降沿,并保持高电压域输出信号状态。

一实施例中,所述耦合电路为RC耦合电路。

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