[发明专利]低剥离静电压PU保护膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种低剥离静电压PU保护膜,至少包括由上而下依次设置的抗静电离型层、聚氨酯胶粘剂层、PET基材层、抗静电涂层；其中，

所述抗静电离型层为单面离型面抗击电膜，其离型面的离型力为50-100g/mm，阻抗值为10^8-10^10Ω；

所述抗静电涂层，其阻抗值为10^6-10^9Ω。

2.根据权利要求1所述的低剥离静电压PU保护膜，其特征在于，所述聚氨酯胶粘剂层其聚氨酯胶粘剂的组成包括，wt％：

3.根据权利要求1或2所述的低剥离静电压PU保护膜，其特征在于，所述聚氨酯胶粘剂层其涂布干胶厚度为8-10微米。

4.根据权利要求1所述的低剥离静电压PU保护膜，其特征在于，所述PET基材层其为经过双面电晕处理并且电晕处理度大于等于42。

5.根据权利要求1或4所述的低剥离静电压PU保护膜，其特征在于，所述PET基材层其厚度为30-80微米。

6.根据权利要求1所述的低剥离静电压PU保护膜，其特征在于，所述抗静电涂层为聚噻吩涂层。

7.一种低剥离静电压PU保护膜的制备工艺，包括如下步骤：

A准备工序：PET基材电晕处理制备PET基材层；涂布机的干燥区域准备并形成干燥温度区段；

B PET基材层一侧涂布抗静电剂形成抗静电涂层；

C PET基材层另一侧涂布聚氨酯胶粘剂形成聚氨酯胶粘剂层；

D烘干；

E贴合抗静电离型膜，卷收。

8.根据权利要求7所述的低剥离静电压PU保护膜的制备工艺，其特征在于，所述干燥区域的干燥温度为50-125℃。

9.根据权利要求8所述的低剥离静电压PU保护膜的制备工艺，其特征在于，所述干燥区域形成的干燥温度区段，由起始段向干燥末段的温度区段包括60±5℃、70±5℃、80±5℃、90±5℃、100±5℃、120±5℃、120±5℃、100±5℃。

10.根据权利要求7所述的低剥离静电压PU保护膜的制备工艺，其特征在于，所述卷收工序中的卷收速度为15-25M/min。