[发明专利]基准电压电路有效
申请号: | 201911365483.4 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN113050747B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 柳婧;王文情 | 申请(专利权)人: | 比亚迪半导体股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;G05F1/567 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 姚章国 |
地址: | 518119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电压 电路 | ||
1.一种基准电压电路,其特征在于,包括第一电压单元和第二电压单元,所述第一电压单元的工作电压高于所述第二电压单元的工作电压;
所述第一电压单元包括第一电流镜,所述第一电流镜至少包括两条电流输出支路,其中一条所述电流输出支路为第一电流输出支路,另一条所述电流输出支路为第二电流输出支路,所述第一电流输出支路上串联有分压电阻,所述分压电阻两端设置有电压输出端;
所述第二电压单元包括第二电流镜和基准电压输出模块,所述第二电流镜用于从设置所述第一电流输出支路抽取电流,所述基准电压输出模块用于控制所述第二电流输出支路输出修调电流;
所述第二电流镜包括多个电流输入端,各所述电流输入端连接于所述分压电阻与所述第一电流镜之间,各所述电流输入端均连接有第一开关元件。
2.根据权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一开关元件为三极管或MOS管。
3.根据权利要求1或2所述的基准电压电路,其特征在于,各所述电流输入端的修调电流比值为:
I1:I2:…:In=20:21:…:2n-1;
其中,In为第n条电流输入端的电流,n为自然数。
4.根据权利要求1或2所述的基准电压电路,其特征在于,所述基准电压输出模块包括带隙基准电路及第一放大器;
所述带隙基准电路用于向所述第一放大器输入正负温系数电压;
所述第一放大器用于结合所述正负温系数电压,并向所述第二电流输出支路输出基准电压。
5.根据权利要求4所述的基准电压电路,其特征在于,所述第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻;
所述第二开关元件的源极与所述第一电流镜连接,所述第二开关元件的栅极与所述第一放大器的输出端连接,所述第二开关元件的漏极与所述电阻连接。
6.根据权利要求4所述的基准电压电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管及第二放大器;
所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的源极连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接,所述第一晶体管的漏极接地;
所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接;
所述第三电阻的第二端与所述第二晶体的源极连接,所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接,所述第二晶体管的漏极接地;
所述第一电阻的第一端及所述第二电阻的第一端均与所述第二放大器的输出端连接,所述第二放大器的正输入端与所述第一晶体管的源极连接,所述第二放大器的负输入端与所述第三电阻的第一端连接。
7.根据权利要求4所述的基准电压电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管、修调电阻串及第二放大器;
所述修调电阻串包括多个串联的修调电阻,各所述修调电阻一一对应并联有第二开关元件;
所述第一电阻的第一端与所述修调电阻串的其中一端连接,所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的源极连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接,所述第一晶体管的漏极接地;
所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接;
所述第三电阻的第二端与所述第二晶体的源极连接,所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接,所述第二晶体管的漏极接地;
所述第一电阻的第一端及所述第二电阻的第一端均与所述第二放大器的输出端连接,所述第二放大器的正输入端与所述第一晶体管的源极连接,所述第二放大器的负输入端与所述第三电阻的第一端连接。
8.根据权利要求7所述的基准电压电路,其特征在于,所述第二开关元件为三极管或MOS管。
9.根据权利要求1或2所述的基准电压电路,其特征在于,两所述电压输出端之间设置有与所述分压电阻串联的补偿电阻。
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