[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201911366280.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN112305861A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;李明潭;李兴杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：在导电材料之上施加光刻胶；
在所述光刻胶与所述导电材料之间形成抗反射层；以及
在所述形成所述抗反射层之后对所述光刻胶进行显影。
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