[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧上的N型半导体层；

位于所述N型半导体层背离所述衬底一侧依次叠加的窄阱宽垒超晶格层、第一界面调制层、窄阱窄垒超晶格层及第二界面调制层，其中，所述窄阱宽垒超晶格层和所述窄阱窄垒超晶格层组合为复合浅量子阱；

位于所述第二界面调制层背离所述衬底一侧的多量子阱发光层；

位于所述多量子阱发光层背离所述衬底一侧的缺陷覆盖层；

以及，位于所述缺陷覆盖层背离所述衬底一侧的P型半导体层；

其中，所述缺陷覆盖层包括靠近所述衬底一侧的第一子缺陷覆盖层及远离所述衬底一侧的第二子缺陷覆盖层，其中，所述发光二极管还包括：

位于所述第一子缺陷覆盖层与所述第二子缺陷覆盖层之间的隧穿层，其中，所述隧穿层的阻抗小于所述缺陷覆盖层的阻抗。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述隧穿层为Al_jIn_kGa_1-j-kN层，其中，0≤j＜0.5且0≤k＜0.5。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述隧穿层的厚度范围为1nm-10nm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缺陷覆盖层为非故意掺杂Al_aIn_bGa_1-a-bN层，其中，0≤a＜0.5且0≤b＜0.5。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缺陷覆盖层的厚度范围为10nm-50nm，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一界面调制层和所述第二界面调制层均为Al_xIn_yGa_1-x-yN层，其中，0≤x＜0.5且0≤y＜0.5。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

位于所述衬底与所述N型半导体层之间依次叠加的缓冲层和非故意掺杂层；

和/或，位于所述多量子阱发光层与所述缺陷覆盖层之间的电子阻挡层；

和/或，位于所述P型半导体层背离所述衬底一侧的欧姆接触层。

8.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧上形成N型半导体层；

在所述N型半导体层背离所述衬底一侧依次叠加形成窄阱宽垒超晶格层、第一界面调制层、窄阱窄垒超晶格层及第二界面调制层，其中，所述窄阱宽垒超晶格层和所述窄阱窄垒超晶格层组合为复合浅量子阱；

在所述第二界面调制层背离所述衬底一侧形成多量子阱发光层；

在所述多量子阱发光层背离所述衬底一侧形成缺陷覆盖层；其中，所述缺陷覆盖层包括靠近所述衬底一侧的第一子缺陷覆盖层及远离所述衬底一侧的第二子缺陷覆盖层，其中，所述发光二极管还包括：位于所述第一子缺陷覆盖层与所述第二子缺陷覆盖层之间的隧穿层，其中，所述隧穿层的阻抗小于所述缺陷覆盖层的阻抗；

在所述缺陷覆盖层背离所述衬底一侧形成P型半导体层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述缺陷覆盖层的制作方法包括：

将反应室的生长压力调整为50Torr-200Torr，包括端点值，同时将所述反应室的生长温度调整为900℃-1100℃，包括端点值；

按脉冲模式在所述反应室内通入反应源。