[发明专利]一种微流控芯片表面亲水改性的方法

权利要求书

1.一种微流控芯片表面亲水改性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将等离子体处理仪连通等离子体汽化仪；

(2)将亲水剂倒入所述等离子体汽化仪装料腔内，设定亲水剂的加热温度为35～80℃，线管保温温度为40～85℃，开启电源，预热2～8min，等待接枝；

(3)将待改性的微流控芯片放置在等离子体处理仪的处理腔内，打开所述等离子体汽化仪阀门，向所述等离子体处理仪内通入亲水剂，等离子体处理仪抽真空至10～80pa，亲水剂的气体流量为1.5～6L/min，放电功率为45～150W，等离子体聚合时间为0.5～5min；

(4)待反应结束后，向处理腔内通入空气，通入时间为3min，即可取出芯片。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性的方法，其特征在于，所述亲水剂为聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺、水性聚氨酯、丙烯酸、钛酸四丁酯、正硅酸丁酯、甲基丙烯酸羟乙酯和多巴胺中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性的方法，其特征在于，所述等离子体汽化仪包括多个装料腔，所述多个装料腔内装不同亲水剂。

4.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性的方法，其特征在于，步骤(3)中亲水剂的气体流量为2.5L/min，抽真空至60pa，放电功率为45W，等离子体聚合时间为3.5min。