[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

权利要求书

1.一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为8.1～10μm，芯层的相对折射率Δn1为-0.10～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为12.5～15μm，相对折射率Δn2为-0.15～-0.60％，所述的下陷内包层半径r3为16～50μm，相对折射率Δn3为-0.20～-0.70％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为-0.15～-0.60％；所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2Δn4Δn3。

2.按权利要求1所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及氯共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与氯共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗掺杂的相对折射率贡献量ΔGe为0.01％～0.20％，氯掺杂量按重量计为50～40000ppm。

3.按权利要求2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的氯掺杂量按重量计为50～20000ppm。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的有效面积为120～160μm²。

6.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.155dB/km。

7.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点小于等于1300nm；所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。

9.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于在光纤外包层外涂覆树脂涂料层，包括有内涂覆层和外涂覆层，所述的内涂覆层外径为150～220μm，内涂覆层的杨氏模量为0.1～0.2MPa，外涂覆层外径等于或大于230μm；所述光纤在1700nm波长处的微弯损耗小于或等于3dB/km。