[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置的半导体封装方法有各种方法。作为半导体封装方法，例如有：用封装材料(模塑树脂)覆盖半导体芯片而形成元件封装材料、并进一步形成与半导体芯片进行电连接的再布线层的封装方法。半导体封装方法当中，近年来，扇出(Fan-Out)这一半导体封装方法成为主流。

扇出型的半导体封装体通过用封装材料覆盖半导体芯片来形成比半导体芯片的芯片尺寸大的芯片封装体。进一步形成延伸至半导体芯片和封装材料的区域的再布线层。再布线层以薄的膜厚形成。此外，再布线层能够形成至封装材料的区域，因此能够增加外部连接端子的数量。

例如，作为扇出型的半导体装置，已知有下述的专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-129767号公报

发明内容

发明要解决的问题

扇出型的半导体装置要求在再布线层中的层间绝缘膜与封装材料之间具有高的密合性。然而，现有的扇出型的半导体装置的再布线层中的层间绝缘膜与封装材料之间的密合性并不充分。此外，天线集成型模块等存在电特性降低的倾向。

本发明是鉴于这一点而做出的，其目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体芯片、覆盖前述半导体芯片的封装材料、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层，前述再布线层的层间绝缘膜在空气气氛下、以10℃/分钟升温至700℃后的失重率为5～95重量％。

此外，在另一方式中，本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体芯片、覆盖前述半导体芯片的封装材料、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层，将前述再布线层的层间绝缘膜在100℃下保持了60分钟时的挥发气体在平均每1cm²上为0.2×10^-6～2.5×10^-6Pa。

此外，在再另一方式中，本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体芯片、覆盖前述半导体芯片的封装材料、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层，将前述再布线层的层间绝缘膜在100℃下保持了60分钟时的挥发气体在平均每1cm²上为0.4×10^-6～1.8×10^-6Pa。

本发明优选的是，前述封装材料与前述层间绝缘膜直接接触。

本发明优选的是，前述封装材料包含环氧树脂。

本发明优选的是，前述层间绝缘膜包含选自聚酰亚胺、聚苯并噁唑和具有酚性羟基的聚合物中的至少1种。

本发明优选的是，前述层间绝缘膜包含包括以下的通式(1)的结构的聚酰亚胺。