[发明专利]一种Mini LED芯片及制造方法

权利要求书

1.一种Mini LED芯片，其特征在于：包括GaN基底、P型接触面及电流稳定层、P型电流注入层、P型焊接结合界面金属层、缓冲绝缘层、应力释放层、绝缘全光谱反射层、N型焊接结合界面金属层、N型电流注入层以及N型接触面及电流稳定层；

所述GaN基底的一侧依次叠放有所述P型接触面及所述电流稳定层和所述P型电流注入层，所述GaN基底的另一侧依次叠放有所述N型接触面及电流稳定层和所述N型电流注入层；

所述缓冲绝缘层依次覆盖于所述GaN基底的一侧、所述N型电流注入层以及所述GaN基底的另一侧，所述缓冲绝缘层在所述N型焊接结合界面金属层所在的一侧上包裹所述N型焊接结合界面金属层的底端且高于所述GaN基底所在的平面；

所述应力释放层覆盖于所述缓冲绝缘层上，所述绝缘全光谱反射层覆盖于所述应力释放层上；

所述P型焊接结合界面金属层依次穿过所述绝缘全光谱反射层、所述应力释放层和所述缓冲绝缘层且与所述P型电流注入层连接，所述N型焊接结合界面金属层依次穿过所述绝缘全光谱反射层、所述应力释放层和所述缓冲绝缘层且与所述N型电流注入层连接；

所述P型焊接结合界面金属层和所述N型焊接结合界面金属层具体为依次堆叠2～3nm的Cr、1500～2000nm的Al、200～500nm的Ti、10～30nm的Pt、200～500nm的Au以及40～100nm的Ni组成的合金。

2.根据权利要求1所述的一种Mini LED芯片，其特征在于：所述GaN基底包括衬底层、N型氮化镓层、多层量子阱层、P型氮化镓层和电流扩展层；

所述N型氮化镓位于所述衬底层的中间区域，所述N型氮化镓的一侧依次叠放有所述多层量子阱层、所述P型氮化镓层和所述电流扩展层，所述P型接触面及电流稳定层位于所述电流扩展层上，所述N型接触面及电流稳定层位于所述N型氮化镓的另一侧；

所述缓冲绝缘层依次覆盖于所述衬底层的一侧、所述电流扩展层、所述N型氮化镓上所述多层量子阱层与所述N型接触面及电流稳定层的之间的间隙、所述N型电流注入层以及所述衬底层的另一侧，所述缓冲绝缘层在所述P型焊接结合界面金属层所在的一侧上与所述P型电流注入层齐平，所述缓冲绝缘层在所述N型焊接结合界面金属层所在的一侧上包裹所述N型焊接结合界面金属层的底端且高于所述电流扩展层所在的平面。

3.根据权利要求1所述的一种Mini LED芯片，其特征在于：所述绝缘全光谱反射层包括至少两种透明金属氧化物交叠而成，所述透明金属氧化物为氧化硅或氧化钛，所述绝缘全光谱反射层交叠的厚度为3-7μm，层数为10～100层，每层厚度为30-300nm。

4.一种Mini LED芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过光刻设施进行图形转移，使用蒸镀方式同时在GaN基底上制作P型接触面及电流稳定层和N型接触面及电流稳定层；

S2、通过光刻设施进行图形转移，使用蒸镀方式同时在所述P型接触面及电流稳定层上制作P型电流注入层和在所述N型接触面及电流稳定层上制作N型电流注入层；

S3、通过镀膜设备制作覆盖于所述GaN基底的一侧、所述N型电流注入层以及所述GaN基底的另一侧的缓冲绝缘层，通过光刻设施进行图形转移，使用化学腐蚀方式进行图形腐蚀；

S4、通过镀膜设备在所述缓冲绝缘层上制作应力释放层，通过光刻设施进行图形转移，使用化学腐蚀方式或ICP刻蚀方式进行图形腐蚀；

S5、通过镀膜设备在所述应力释放层上制作绝缘全光谱反射层，通过光刻设施进行图形转移，使用化学腐蚀方式或ICP刻蚀方式进行图形腐蚀；

S6、通过光刻设施进行图形转移，使用蒸镀方式同时在所述P型电流注入层制作P型焊接结合界面金属层和在所述N型电流注入层制作N型焊接结合界面金属层，所述P型焊接结合界面金属层依次穿过所述绝缘全光谱反射层、所述应力释放层和所述缓冲绝缘层后堆叠在所述P型电流注入层上，所述N型焊接结合界面金属层依次穿过所述绝缘全光谱反射层、所述应力释放层和所述缓冲绝缘层后堆叠在所述N型电流注入层，所述P型焊接结合界面金属层和制作N型焊接结合界面金属层具体为依次堆叠2～3nm的Cr、1500～2000nm的Al、200～500nm的Ti、10～30nm的Pt、200～500nm的Au以及40～100nm的Ni组成的合金。