[发明专利]封装

说明书

一种封装包括载体衬底、第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括第一接合层、与第一接合层相对的第二接合层以及嵌置于第一接合层中的对位标记。第一接合层熔融接合到载体衬底。第二管芯包括第三接合层。第三接合层混合接合到第一管芯的第二接合层。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有熔融接合结构以及混合接合结构的封装。

背景技术

通常在单个半导体晶片(semiconductor wafer)上制造用于各种电子设备(例如，手机及其他移动电子装备)的半导体装置及集成电路。可在晶片级(wafer level)上对晶片(wafer)的管芯进行处理并将晶片的管芯与其它半导体装置或管芯进行封装，且已开发出各种技术及应用用于晶片级封装(wafer level packaging)。多个半导体装置的集成已成为所述领域的挑战。

发明内容

一种封装包括载体衬底、第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括第一接合层、与第一接合层相对的第二接合层以及嵌置于第一接合层中的对位标记。第一接合层熔融接合到载体衬底。第二管芯包括第三接合层。第三接合层混合接合到第一管芯的第二接合层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1为重构晶片的示意图。

图2A到图2K为根据本公开的一些实施例的重构晶片的制造工艺的示意性剖视图。

图3为根据本公开的一些实施例的封装的示意性剖视图。

图4A到图4I为根据本公开的一些替代性实施例的重构晶片的制造工艺的示意性剖视图。

图5为根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

图6为根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

图7为根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

附图标号说明

AS1、AS2：有源表面

DS：管芯堆叠结构

H₂₀₀、H₆₀₀：厚度

R：凹槽

RS1、RS2、RS2'、RS2”：后表面

RW、RW1：重构晶片

10、20、30、40：封装

110、500：载体衬底

120、130、282a、284a、662a、810：介电层

122、222、622：层间介电层

140、250、280、282、284、300、660：接合层

150、260：对位标记

200、600：管芯

210、210'、610、610'、610”：半导体衬底

220、620：互连结构

224、282c、284c、624：导电图案

230、630：钝化层

240、640：导电接垫

252：第一子层