[发明专利]3D存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括:

在衬底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；

形成贯穿所述第一叠层结构的沟道孔，所述沟道孔延伸至所述衬底中；

在所述沟道孔的底部形成外延层；

形成覆盖所述沟道孔的侧壁以及所述外延层的顶表面上的功能层和所述保护层；

去除部分的所述功能层和所述保护层以形成开口以暴露出所述外延层；

在所述沟道孔的侧壁上形成沟道结构；

其中，去除部分的所述功能层和所述保护层以形成开口包括：

进行冲孔蚀刻以去除在所述外延层的顶表面上横向延伸的所述部分的所述功能层和所述保护层，其中，在冲孔蚀刻的过程中在所述外延层中形成凹槽；

其中，进行所述冲孔蚀刻包括：移除所述外延层的一部分以形成凹槽。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述功能层包括：

在所述沟道孔的侧壁上沉积氧化物形成栅介质层；

在所述栅介质层的表面上沉积氮化物形成电荷存储层；

在所述电荷存储层的表面上沉积氧化物形成隧穿介质层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述保护层包括：

形成覆盖所述功能层的非晶硅层；

对所述非晶硅层进行退火处理形成多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用氢氧化铵去除所述保护层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述沟道结构之前，去除所述保护层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述沟道结构包括：

在所述功能层上形成沟道层，并填充所述开口以及所述凹槽。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层采用选择性外延生长形成。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

采用多个栅极导体层置换所述多个牺牲层，形成叠层结构；以及

形成贯穿所述叠层结构的导体通道。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，形成叠层结构的步骤包括：

形成贯穿所述第一叠层结构的栅线缝隙；

通过栅线缝隙去除所述第一叠层结构中的所述多个牺牲层，以形成与所述栅线缝隙连通的空腔；

通过栅线缝隙在所述栅线缝隙和所述空腔中填充金属层；以及

对所述金属层进行蚀刻，重新形成栅线缝隙，从而将所述金属层分割成不同层面的所述多个栅极导体。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在形成空腔的步骤和填充金属层的步骤之间，还包括：经由所述栅线缝隙，在所述多个层间绝缘层的表面上形成核层。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在重新形成栅线缝隙的步骤中，所述栅线缝隙将同一层面的栅极导体分割成多条栅线。

12.根据权利要求9所述的制造方法，在形成导电通道之前还包括：

在所述栅线缝隙中沉积阻挡层。