[发明专利]一种生产单晶金刚石的方法有效
申请号: | 201911369163.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN110983437B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 彭国令;黄翀 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C30B25/20 | 分类号: | C30B25/20;C30B29/04;C23C16/27 |
代理公司: | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人: | 陶祥琲 |
地址: | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 金刚石 方法 | ||
1.一种生产单晶金刚石的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,选择多颗单晶金刚石,将各单晶金刚石抛光,然后清洗;
S2,测量各单晶金刚石的厚度,然后将各单晶金刚石摆放在真空腔体内,沿单晶金刚石摆放的中心至边缘方向,所述单晶金刚石的厚度依次递增;
S3,启动金刚石生长设备,并使单晶金刚石的温度维持在设定温度内,所述设定温度的范围为800℃~900℃;
S4,测量各单晶金刚石的温度,对测量到各单晶金刚石的温度进行数据处理,判断测量到的各单晶金刚石的温度差异是否在预定范围内;
若各单晶金刚石的温度差异超出了预定范围,则关闭金刚石生长设备,对单晶金刚石的位置进行调整,再重新启动金刚石生长设备;
若各单晶金刚石的温度差异没有超出了预定范围,则使各单晶金刚石继续生长;
S5,重复步骤S4,使各单晶金刚石的温度差异维持在预定范围内,直至各单晶金刚石生长完成,所述预定范围为-20℃~20℃。
2.根据权利要求1所述的生产单晶金刚石的方法,其特征在于,步骤S2中,所述单晶金刚石依次递增的厚度范围为0.005mm~0.02mm。
3.根据权利要求1所述的生产单晶金刚石的方法,其特征在于,步骤S4中,通过相机采集各单晶金刚石的图像,通过对比各图像的颜色亮度判断各单晶金刚石温度的高低,所述图像的颜色越亮,该图像对应的单晶金刚石的温度越高。
4.根据权利要求3所述的生产单晶金刚石的方法,其特征在于,步骤S4中,所述对测量到各单晶金刚石的温度进行数据处理的方法为:
根据测量到各单晶金刚石的温度,排列出各单晶金刚石的温度顺序;
所述对单晶金刚石的位置进行调整的方法为:
若单晶金刚石的数量为奇数,位于中间温度的一颗单晶金刚石的位置保持不变,其余单晶金刚石根据温度顺序对调位置;
若单晶金刚石的数量为偶数,位于中间温度的两颗单晶金刚石的位置保持不变,其余单晶金刚石根据温度顺序对调位置。
5.根据权利要求3所述的生产单晶金刚石的方法,其特征在于,所述图像为彩色图像。
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