[发明专利]一种涡流抑制结构及其制备方法

权利要求书

1.一种涡流抑制结构，包括磁致伸缩层(1)，其特征在于，还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层(1)内，用于打断涡流。

2.根据权利要求1所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其厚度方向设置第一绝缘介质层(2)和/或所述磁致伸缩层(1)内沿其宽度方向设置第二绝缘介质层(3)。

3.根据权利要求2所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其厚度方向设置至少一层所述第一绝缘介质层(2)。

4.根据权利要求3所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层(2)为三层且相互平行，每层所述第一绝缘介质层(2)的厚度为5-100nm，所述磁致伸缩层(1)的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第一绝缘介质层(2)的电导率范围为0-100S/m，所述第一绝缘介质层(2)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一种或者多种材料制成。

5.根据权利要求2所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其宽度方向设置至少一层所述第二绝缘介质层(3)。

6.根据权利要求5所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述第二绝缘介质层(3)为三层且相互平行，每层所述第二绝缘介质层(3)的厚度为5-30nm，所述磁致伸缩层(1)的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第二绝缘介质层(3)的电导率范围为0-100S/m，所述第二绝缘介质层(3)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一种或者多种材料制成。

7.根据权利要求2所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其厚度方向设置至少一层第一绝缘介质层(2)，所述磁致伸缩层(1)内沿其宽度方向设置至少一层第二绝缘介质层(3)，所述第一绝缘介质层(2)和所述第二绝缘介质层(3)交叉间隔设置。

8.根据权利要求7所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层(2)为三层且相互平行，所述第二绝缘介质层(3)为三层且相互平行，每层所述第一绝缘介质层(2)厚度为5-100nm，每层所述第二绝缘介质层(3)厚度为5-30nm，所述磁致伸缩层(1)的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第一绝缘介质层(2)和所述第二绝缘介质层(3)的电导率范围为0-100S/m，所述第一绝缘介质层(2)和所述第二绝缘介质层(3)均由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一种或者多种材料制成。

9.一种磁电天线，包括上电极，其特征在于，还包括权利要求1-7任一项所述涡流抑制结构，所述涡流抑制结构设置在所述上电极上。

10.一种如权利要求2-9任一项所述涡流抑制结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在机体上利用磁控溅射法沉积磁致伸缩层(1)；

步骤2：在所述步骤1形成的所述磁致伸缩层(1)上利用磁控溅射法沉积沿其厚度方向的第一绝缘介质层(2)；

步骤3：在所述步骤2形成的所述第一绝缘介质层(2)上再次沉积磁致伸缩层(1)；

步骤4：直接得到所述涡流抑制结构，或者再重复进行上述步骤2-3至少一次，得到所述涡流抑制结构；

或者，

步骤a：在机体上利用磁控溅射法沉积磁致伸缩层(1)；

步骤b：用甩胶机在所述磁致伸缩层(1)上均匀覆盖一层光刻胶(5)，然后依次进行前烘、曝光和显影；

步骤c：用干法刻蚀在所述步骤b形成的结构上刻蚀出在所述磁致伸缩层(1)厚度方向的至少一个凹槽；

步骤d：用磁控溅射法在所述步骤c形成的结构上溅射以形成在所述磁致伸缩层(1)厚度方向的至少一层第二绝缘介质层(3)；

步骤e：采用金属剥离工艺去除所述所述磁致伸缩层(1)表面的所述光刻胶(5)；

步骤f：利用化学机械研磨将高出所述磁致伸缩层(1)表面的所述第二绝缘介质层(3)磨平；

或者，

步骤A：在机体上利用磁控溅射法沉积磁致伸缩层(1)；

步骤B：在所述步骤A形成的所述磁致伸缩层(1)上利用磁控溅射法沉积所述步骤A形成的所述磁致伸缩层(1)厚度方向的第一绝缘介质层(2)；

步骤C：在所述步骤B形成的所述第一绝缘介质层(2)上沉积磁致伸缩层(1)；

步骤D：直接得到第一绝缘介质层结构，或者再重复进行上述步骤B-C至少一次，得到所述第一绝缘介质层结构；

步骤E：用甩胶机在所述第一绝缘介质层结构上均匀覆盖一层光刻胶(5)，然后依次进行前烘，曝光和显影；

步骤F：用干法刻蚀在所述步骤E形成的结构上刻蚀出在所述磁致伸缩层(1)宽度方向的至少一个凹槽；

步骤G：用磁控溅射法在所述步骤F形成的结构上溅射以形成在所述磁致伸缩层(1)宽度方向的至少一层所述第二绝缘介质层(4)；

步骤H：采用金属剥离工艺去除所述步骤D形成的所述第一绝缘介质层结构表面的所述光刻胶(5)；

步骤I：利用化学机械研磨将高出所述步骤D形成的所述第一绝缘介质层结构表面的所述第二绝缘介质层(3)磨平。