[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在硅基CMOS驱动电路基板的电极上形成焊盘保护胶；步骤2)在硅基CMOS驱动电路基板上制作阳极电极；步骤3)在阳极电极之间制备阳极绝缘层；步骤4)蒸镀制作OLED层；步骤5)制作阴极和薄膜封装层；步骤6)薄膜封装层制备完成后，剥离电极保护胶。本发明硅基OLED微显示器的制备方法，可有效的保护电极，提高产品性能，具有较好的应用前景。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地说，涉及一种硅基OLED微显示器的制备方法。

背景技术

硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。

常规的硅基OLED微显示器制备过程中，在制备阳极，阳极绝缘层，OLED蒸镀，阴极蒸镀和薄膜封装时，CMOS电路上的电极都是暴露基板表面的，阳极、阳极绝缘层、薄膜封装层在刻蚀时，为了确保图案的正常形成，都会有一定的过刻量；过刻量过小的话，不能确保需求图形的正确形成，可能会造成阳极短路，阳极与OLED断路等不良；过刻量过大的话，会将电极金属的厚度减薄太多，从而影响电极的连接性，造成电极连接不良。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种可有效的保护电极，提高产品性能的硅基OLED微显示器的制备方法。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在硅基CMOS驱动电路基板的电极上形成焊盘保护胶；步骤2)在硅基CMOS驱动电路基板上制作阳极电极；步骤3)在阳极电极之间制备阳极绝缘层；步骤4)蒸镀制作OLED层；步骤5)制作阴极和薄膜封装层；步骤6)薄膜封装层制备完成后，剥离电极保护胶。

为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

步骤1)中涂覆负性光刻胶，用掩膜板进行曝光显影，形成与焊盘图形一致覆盖焊盘的焊盘保护胶。

步骤2)中采用物理气象沉积PVD工艺形成反射层；涂PR胶，掩膜板曝光，刻蚀，去胶，形成阳极电极。

步骤3)中用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺形成绝缘层，涂PR胶，掩膜板曝光，刻蚀，去胶，形成阳极绝缘层。

步骤5)中薄膜封装后涂PR胶，用掩膜板曝光显影刻蚀露出焊盘保护胶，去除封装薄膜上的PR胶。

步骤6)薄膜封装层制备完成后，用光刻胶剥离液洗掉保护焊盘的焊盘保护胶。

在步骤1)之前将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干。

步骤6)之后进行盖板玻璃封装和电路焊接。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明硅基OLED微显示器的制备方法，可有效的保护电极，提高产品性能，具有较好的应用前景。

附图说明

下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为Pad保护胶制备过程示意图；

图2为阳极电极制备过程示意图；

图3为阳极绝缘层制备过程示意图；

图4为OLED、阴极和薄膜封装制备过程示意图；

图5为Pad保护胶去除，盖板玻璃封装，打线过程示意图；