[发明专利]一种半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一绝缘导热基板；

一金属线路层，包含多个结合结构；以及

一散热元件；

其中，该结合结构位于该绝缘导热基板与该散热元件之间，该散热元件藉由一焊料接合结构连接于该金属线路层，该焊料接合结构包覆该结合结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该焊料接合结构包覆该结合结构的位置之间具有一间隙。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该焊料接合结构的材料为一烧结银。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多个结合结构凸出于该绝缘导热基板一表面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属线路层包括一底层，该底层设置于该结合结构与该绝缘导热基板一表面之间，且该结合结构凸出于该底层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该焊料接合结构包括一平面件与多个凹陷体，该凹陷体凸出于该平面件一表面，且该结合结构嵌入于该凹陷体之内。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该结合结构的顶面轮廓的宽度等于对应的该凹陷体的底面轮廓的宽度。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该结合结构的厚度大于对应的该凹陷体的厚度。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该凹陷体的最大宽度大于该结合结构的宽度。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该结合结构的截面的形状为一多边形体、一圆形体或一椭圆形体。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘导热基板为一陶瓷基板。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该陶瓷基板的材质为氮化铝、氧化铝、氧化铍、氮化硅或碳化硅。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属线路层之间的一连接边区域中，该结合结构的至少一边缘角为圆弧角。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属线路层之间的一连接边区域中，该结合结构包含圆弧角与边角，该圆弧角靠近该连接边区域的一边缘。

15.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，形成一金属线路层中的多个结合结构于一绝缘导热基板，其中该结合结构凸出于该绝缘导热基板；

步骤二，形成一焊料接合结构于一散热元件上，其中该焊料接合结构具有多个凸柱体；

步骤三，对位该金属线路层的该结合结构与该焊料接合结构的该凸柱体，其中该凸柱体对应该结合结构的位置之间具有一间隙；以及

步骤四，热压该绝缘导热基板与该散热元件，使该焊料接合结构包覆该结合结构，以将该散热元件结合至该金属线路层，其中经热压后的该凸柱体朝向该间隙变形。

16.如权利要求15所述的半导体装置制作方法，其特征在于，在所述的形成该焊料接合结构于该散热元件上的步骤二中，包括以下步骤：

形成该凸柱体，使该凸柱体的排列方式相同于该结合结构的排列方式。

17.如权利要求15所述的半导体装置制作方法，其特征在于，在所述的形成该焊料接合结构于该散热元件上的步骤二中，包括以下步骤：

利用网版的形状，使该焊料接合结构形成一平面件与该凸柱体，其中该凸柱体凸出于该平面件的表面。