[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一导电型半导体层；

台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层以及第二导电型半导体层；以及

下绝缘层，覆盖所述台面以及在所述台面周围暴露的第一导电型半导体层的至少一部分，并具有用于允许与所述第一导电型半导体层电接通的第一开口部以及用于允许与所述第二导电型半导体层电接通的第二开口部，

所述活性层生成具有500nm以下峰值波长的光，

所述下绝缘层包括分布布拉格反射器，

所述下绝缘层具有在可视区域的波长范围内连续表现出90％以上反射率的高反射波段，所述高反射波段中包括在所述活性层中生成的光的峰值波长的第一波长区域中的反射率比554nm至700nm范围内的第二波长区域中的反射率高，

所述第一波长区域位于比554nm短的波长区域。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述下绝缘层还包括布置在所述分布布拉格反射器上的耦合层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述耦合层包括SiO₂-TiO₂混合层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述SiO₂-TiO₂混合层中TiO₂的含量相对于整体混合层在1摩尔％至5摩尔％范围内。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述耦合层覆盖所述分布布拉格反射器的顶面以及侧面。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述下绝缘层在420nm至480nm的波长范围内具有98％以上反射率，并在554nm至700nm的波长范围内具有90％以上反射率。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述第一波长区域在420nm至480nm范围内，

所述第一波长区域中的反射率比500nm至700nm范围内的波长中的反射率高。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

透明的导电性氧化物层，布置在所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电接通；

介电层，覆盖所述导电性氧化物层，并具有使得所述导电性氧化物层暴露的多个开口部；以及

金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电性氧化物层接通，

所述下绝缘层布置在所述金属反射层上，所述第一开口部使得所述第一导电型半导体层暴露，所述第二开口部使得所述金属反射层暴露。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并通过所述下绝缘层的第一开口部与所述第一导电型半导体层电接通；以及

第二焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并通过所述下绝缘层的第二开口部与所述第二导电型半导体层电接通。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层以及所述第二焊盘金属层，并包括使得所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使得所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，

所述上绝缘层包括SiO₂-TiO₂混合层。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，

所述上绝缘层覆盖所述下绝缘层的侧面。