[发明专利]一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201911370627.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111018535A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 湖南德智新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 魏龙霞 |
| 地址： | 412007 湖南省株洲市天元区中*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 制备 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面；
(2)将经步骤(1)处理的石墨基体放入管式炉中，通入三氯甲基硅烷、氩气和氢气进行气相沉积；
(3)除掉石墨基体表面包裹的石墨纸；
(4)对步骤(3)后得到的材料进行热处理，得到碳化硅陶瓷块体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，三氯甲基硅烷流量为20-100mL/min，氢气、氩气和三氯甲基硅烷通入的体积比为(5～15):(5～15):1，温度为950～1250℃，时间为500-1000h。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，热处理的温度为600-800℃，时间为20-50h。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，石墨基体是经乙醇超声清洗、再进行干燥处理的石墨基体。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，碳化硅陶瓷块体的厚度为5-20mm。
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