[发明专利]半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体设备的介质窗的清洗方法，其中，所述半导体设备包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗；感应线圈和清洗电极，其置于所述介质窗之上且所述清洗电极位于所述感应线圈下方；射频源组件，所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件，所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接，其特征在于，所述方法包括：

通过调节所述阻抗调节组件，使得所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，其中所述第一预设值使得所述清洗电极与所述输出端之间形成断路并使得所述射频功率加载于所述感应线圈之上，实现所述反应腔室内等离子体起辉；以及

通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于所述第一预设值，以使所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体实现对所述介质窗进行清洗，

所述等离子体包括由第一清洗气体电离产生的第一等离子体以及由第二清洗气体电离产生的第二等离子体，所述第一清洗气体包括氩气，所述第二清洗气体包括氧气及六氟化硫。

2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，通过调节所述阻抗调节组件包括：

调节所述阻抗调节组件中的可变电容的电容值来调节所述阻抗，其中所述可变电容的一端耦接至所述清洗电极，另一端与所述射频源的输出端可通断地连接。

3.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述可变电容的电容值在10至500皮法拉的范围内。

4.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，调节所述阻抗调节组件中的所述可变电容的所述电容值来调节所述阻抗包括：

通过所述阻抗调节组件中的感测器来感测所述清洗电极的电压值，其中所述感测器的一端耦接至所述清洗电极；

依据所述电压值输出控制信号；以及

通过所述阻抗调节组件中的控制组件并依据所述控制信号来调整所述可变电容，其中所述控制组件的一端耦接至所述感测器，另一端耦接至所述可变电容。

5.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述控制组件包括步进马达。

6.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，还包括：

通过所述阻抗调节组件中的开关来控制所述阻抗调节组件与所述射频源组件的所述输出端之间的导通状态，其中，所述开关的一端耦接至所述可变电容，另一端耦接至所述射频源组件的输出端。

7.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述可变电容的两端具有电压差，所述电压差与所述清洗电极的电压值的比值在0.1至10的范围内。

8.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗电极为孔隙结构，且孔隙率大于90％。

9.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设值在1800欧姆至2200欧姆的范围内。

10.如权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设值是2000欧姆。

11.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于所述第一预设值包括：

调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗至第二预设值以吸引所述等离子体朝向所述介质窗移动来进行清洗。

12.如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述第二预设值在100欧姆至150欧姆的范围内。