[发明专利]一种N型单晶硅片的制备方法

权利要求书

1.一种N型单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：选取N型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得所述N型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在10％-18％之间；

步骤二：在减反射绒面上进行二次制绒，二次制绒后减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在5％-9％之间；

步骤三：对二次制绒面进行清洗，去除二次制绒引起的硅表面损伤层及杂质，对RIE形成的纳米绒面进行修复，纳米绒面的大小控制在300-600nm之间，清洗后减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在8％-16％之间；

步骤四：将硅片进行硼扩散，在硅片表面形成P型层；

步骤五：去除硅片边缘PN结；

步骤六：去除硅片正面硼硅玻璃；

步骤七：沉积硅片背面氧化铝钝化层；

步骤八：在硅片的正面和背面镀氮化硅反射膜；硅片正面反射率在全波段300-1200nm内的反射率范围为4％-9％；

步骤九：在硅片的正面和背面印刷银栅线；

步骤十、高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。

2.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，碱制绒的制绒剂为体积比为2％-3％的KOH水溶液，温度为80-85℃，制绒时间为300-600s；或者碱制绒的制绒剂为体积比为2％-3％的KOH、体积比为0.5％-0.7％的制绒添加剂、其余为水的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，在减反射绒面上采用RIE法进行二次制绒。

4.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，采用BOE溶液对二次制绒面进行清洗，其中，BOE是氢氟酸与氟化铵两者物质的混合液，BOE中，氢氟酸与氟化铵在混合液中的体积比是1:6或1:3，BOE溶液中，BOE所占的体积比为18％，H₂O₂的体积比为32％，其余为水，清洗时间为1100-1500s。

5.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，将硅片置于800～1000℃的炉管中进行硼扩散，扩散时间为5min-50min。

6.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，采用等离子刻蚀、激光刻边或者化学腐蚀等方法去除硅片边缘PN结。

7.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤七中，采用ALD法或者PECVD法沉积硅片背面氧化铝钝化层；背面氧化铝钝化层的膜厚范围在4-12nm。

8.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤八中，正面氮化硅反射膜的膜厚为75-90nm。

9.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤八中，背面氮化硅反射膜的膜厚为100-130nm。

10.根据权利要求1所述的N型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤十三中，烧结温度为：750-800℃，烧结时间为29-31秒。