[发明专利]一种高维持电压横向SCR器件

权利要求书

1.一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于包括：P型衬底(01)；P型衬底(01)内部上方与P型衬底(01)左侧边缘相切的N型阱区(02)；P型衬底(01)内部上方右侧与N型阱区(02)相切的P型阱区(03)；位于N型阱区(02)内部上方与N型阱区(02)左侧相切的阳极第一N+接触区(04)；位于阳极第一N+接触区(04)右侧且与阳极第一N+接触区(04)相切的第一P+接触区(05)；在P型阱区(03)和N型阱区(02)交界处注入横跨两个阱的N+低触发区(06)；位于P型阱区(03)内部上方的阴极第二P+隔离区(22)；位于阴极第二P+隔离区(22)右侧且与阴极第二P+隔离区(22)相切的阴极第二N+接触区(12)；位于阴极第二N+接触区(12)右侧且与阴极第二N+接触区(12)相切的阴极第一P+隔离区(21)；位于阴极第一P+隔离区(21)右侧且与阴极第一P+隔离区(21)相切的阴极第一N+接触区(11)；位于阴极第一N+接触区(11)右侧且与阴极第一N+接触区(11)相切的第二P+接触区(08)；一端与阴极第二N+接触区(12)表面金属相连的第一阴极补偿电阻(R12)，阳极第一N+接触区(04)与第一P+接触区(05)表面用金属短接，构成器件阳极(101)，阴极第一N+接触区(11)与第二P+接触区(08)表面用金属短接并与第一阴极补偿电阻(R12)另一端相连构成器件阴极(102)。

2.根据权利要求1所述的一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于：第二P+接触区(08)左侧设有多个阴极N+接触区(11、12、…、1n)，相邻的阴极N+接触区之间依次插入多个阴极P+隔离区(21、22、…、2n)，在阴极N+接触区(11、12、…、1n)表面形成金属接触，第二阴极补偿电阻(R13)一端与阴极第二N+接触区(12)相连，另一端与阴极第三N+接触区(13)相连……第n-1阴极补偿电阻(R1n)一端与阴极第n-1N+接触区1(n-1)相连，另一端与阴极第nN+接触区(1n)相连，上述n≥3。

3.根据权利要求1所述的一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于：器件阳极的第一P+接触区(05)拆分成阳极第一P+接触区(31)和阳极第二P+接触区(32)两块，并在二者之间插入阳极第一N+隔离区(41)，在阳极第二P+接触区(32)右侧插入与阳极第二P+接触区(32)相切的阳极第二N+隔离区(42)；在阳极第二P+接触区(32)表面形成金属接触并与第一阳极补偿电阻(R22)一端相连，阳极第一P+接触区(31)与阳极第一N+接触区(04)表面用金属短接并与第一阳极补偿电阻(R22)另一端相连构成器件阳极(101)。

4.根据权利要求3所述的一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于：阳极第一N+接触区(04)右侧设有多个阳极P+接触区(31、32、…、3n)，相邻的阳极P+接触区之间依次插入多个阳极N+隔离区(41、42、…、4n)，在阳极P+接触区(31、32、…、3n)表面形成金属接触，第二阳极补偿电阻(R23)一端与阳极第二P+接触区(32)相连，另一端与阳极第三P+接触区(33)相连……第n-1阳极补偿电阻(R2n)一端与阳极第n-1P+接触区3(n-1)相连，另一端与阳极第n P+接触区(3n)相连；

第二P+接触区(08)左侧设有多个阴极N+接触区(11、12、…、1n)，相邻的阴极N+接触区之间依次插入多个阴极P+隔离区(21、22、…、2n)，在阴极N+接触区(11、12、…、1n)表面形成金属接触，第二阴极补偿电阻(R13)一端与阴极第二N+接触区(12)相连，另一端与阴极第三N+接触区(13)相连……第n-1阴极补偿电阻(R1n)一端与阴极第n-1N+接触区1(n-1)相连，另一端与阴极第n N+接触区(1n)相连，上述n≥3。

5.根据权利要求4所述的一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于：将上述器件中的阳极N+隔离区(41、42、…、4n)分别替换成阳极槽型隔离区(51、52、…、5n)；将阴极P+隔离区(21、22、…、2n)分别替换成阴极槽型隔离区(61、62、…、6n)，上述n≥3。