[发明专利]测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质在审
申请号: | 201911372267.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111128781A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 黎美楠 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 金属 完全 蚀刻 时间 方法 系统 存储 介质 | ||
本发明提供了一种测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质,所述测量金属完全蚀刻时间的方法包括数据库建立步骤、采集步骤、第一计算步骤以及第二计算步骤,采用不同的蚀刻时间进行湿蚀刻,并记录相应的蚀刻厚度,计算多次蚀刻的蚀刻速度,并取平均值得到平均蚀刻速度,最后根据公式:金属完全蚀刻时间=金属层的厚度/平均蚀刻速度,计算金属完全蚀刻时间。本发明测量金属完全蚀刻时间的方法能够更精准的计算金属完全蚀刻时间,避免人为误差。
技术领域
本发明涉及显示面板测量领域,尤其是涉及一种测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质。
背景技术
EPD(End point detect)指金属完全蚀刻时间,通常导入一支新铜酸需要监测不同铜厚的金属完全蚀刻时间,计算在不同的蚀刻时间下酸的OE量。
在G8.5玻璃基板产线,原始计算方式为人眼目测的方式,在基板上镀一层铜,湿蚀刻机台建立较长的蚀刻秒数,然后用秒表计算,人眼目测大面积金属颜色消失的时间点,因为每个人的反应时间不同,不同的计算人员会存在几秒的误差。
整面金属不透光,无法量测膜厚,仅监控电阻值,无前值所以无法用扫描电镜(SEM)的方法量测后值计算。。
因此,有必要提出一种新的测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质,可以更精准的计算金属完全蚀刻时间,避免人为误差。
发明内容
本发明的目的在于,提出一种测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质,可以更精准的计算金属完全蚀刻时间,避免人为误差。
本发明提供一种测量金属完全蚀刻时间的方法,包括如下步骤:数据库建立步骤,获取多次蚀刻金属层的蚀刻厚度以及与所述蚀刻厚度对应的蚀刻时间,存入数据库中;采集步骤,从所述数据库中采集所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间;第一计算步骤,根据多次蚀刻金属层的所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间,计算多次蚀刻金属层的蚀刻速度,并取平均值得到平均蚀刻速度;第二计算步骤,根据公式:金属完全蚀刻时间=金属层的厚度/平均蚀刻速度,计算得出所述金属完全蚀刻时间。
进一步地,在所述数据库建立步骤之前,还包括:准备步骤,沉积所述金属层,制作3~4次;黄光步骤,沉积一层光刻胶与所述金属层上,经过黄光制程,在金属层上曝光显影留下蚀刻图案;蚀刻步骤,采用不同的蚀刻时间进行湿蚀刻;移除步骤,移除剩余的光刻胶;测量步骤,使用段差量测装置去量测不同蚀刻时间的蚀刻厚度。
进一步地,所述金属层的材料包括:铜、铝、银或钼。
进一步地,所述金属层的厚度为850nm~900nm。
进一步地,所述蚀刻时间包括:20s、40s、60s或80s。
进一步地,在所述移除步骤中,通过剥离液洗去所述蚀刻图案。
本发明提供一种测量金属完全蚀刻时间的系统,包括一数据库以及数据处理系统,所述数据库用以存储多次蚀刻金属层的厚度以及该次蚀刻厚度所对应的蚀刻时间;所述数据处理系统包括:数据库建立单元,获取多次蚀刻金属层的蚀刻厚度以及与所述蚀刻厚度对应的蚀刻时间,存入数据库中;采集单元,从所述数据库中采集所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间;第一计算单元,根据多次蚀刻金属层的所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间,计算多次蚀刻金属层的蚀刻速度,并取平均值得到平均蚀刻速度;第二计算单元,根据公式:金属完全蚀刻时间=金属层的厚度/平均蚀刻速度,计算得出所述金属完全蚀刻时间。
进一步地,还包括:流水线控制系统,用以在基板上沉积金属层并通过黄光制程形成蚀刻图案,接着进行蚀刻,并发送蚀刻时间至所述数据库建立单元;段差测量装置,用以测量蚀刻厚度并发送至所述数据库建立单元。
进一步地,还包括:通信模块,用以将测量得到的金属完全蚀刻时间值发送至上位机中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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