[发明专利]一种估算干刻设备中等离子体气体温度的方法在审
| 申请号： | 201911372357.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111029239A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张杰;孙磊;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/66;G01K11/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 估算 设备 等离子体 气体 温度 方法 | ||
1.一种估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供刻蚀中的等离子气体；
步骤二、采集所述刻蚀中的气体的发光谱线；
步骤三、将所述发光谱线与所述等离子气体已有的波形-温度函数进行拟合；
步骤四、选出拟合度最接近的所述已有的波形-温度函数；
步骤五、从所述拟合度最接近的波形-温度函数中得出所述等离子气体的温度。
2.根据权利要求1所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤一中的等离子气体为干法刻蚀设备中的等离子气体。
3.根据权利要求2所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤二中利用所述干法刻蚀设备中的终端检测系统采集所述刻蚀中的气体的发光谱线。
4.根据权利要求1所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤二中的所述气体的发光谱线波长范围为50nm～1500nm。
5.根据权利要求1所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤三中所述波形-温度函数为所述等离子气体的多普勒加宽与温度的函数。
6.根据权利要求1所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤三中所述波形-温度函数为谱线强度与温度的函数。
7.根据权利要求1所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤三中使用软件Liftbase进行拟合。
8.根据权利要求7所述的估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，其特征在于：步骤三中通过将所述发光谱线的波长信号放大与所述等离子气体已有的波形-温度函数进行拟合。
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